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晶片凸点电镀设备-CSE

发布时间： 2016 - 06 - 22

晶片凸点电镀设备-华林科纳（江苏）CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

IPA干燥系统设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 08

IPA干燥设备-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

酸/碱刻蚀机

发布时间： 2016 - 03 - 07

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高温磷酸清洗机

发布时间： 2016 - 03 - 07

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

芯片镀金设备-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

芯片镀金设备-华林科纳（江苏）CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。华林科纳（江苏）的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称华林科纳（江苏）CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网w...

异质结电池HIT HJT制绒清洗设备

发布时间： 2017 - 04 - 06

异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途：对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程：l H2O2工艺：SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l O3工艺：预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l 结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构，设备占地空间小l 先进的400片结构，有效提高设备工艺产能l 工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合，有效延长药液使用寿命和减少换液周期l 补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测，以及可调节气阀控流结构，有效保证初配时间和微量精补配液的精度l 所有与液体接触材料优化升级，避免材料使用杂质析出l 采用最新低温烘干技术，保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数：l 设备尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 产能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备，可以关注网址：http://www.hlkncse.com，热线：400-8768-096，18913575037

单腔立式甩干机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机优点清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺不同配置（可放置台面操作的设备、单台独立、双腔）适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地，设备带有滚轮可移动优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修易于使用和操作一般特征适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺标准的高边和低边花篮可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺用冷或热的N2辅助晶圆干燥离心头容易更换图形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的触摸屏可以编辑10多个菜单，每个菜单可有10步多等级用户密去静电装置安装于工艺腔室区去离子水回收电阻率监测装置机械手自动加载可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统底座置放不锈钢滚轮溶剂灭火装置适用特殊设计的花篮设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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太阳能光伏技术

1.太阳能概况太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源，生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能，广义地说，太阳能包含以上各种可再生能源。太阳能作为可再生能源的一种，则是指太阳能的直接转化和利用。通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热利用技术，再利用热能进行发电的称为太阳能热发电，也属于这一技术领域；通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术，光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的，因此又称太阳能光伏技术。二十世纪50年代，太阳能利用领域出现了两项重大技术突破：一是1954年美国贝尔实验室研制出6％的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。这两项技术突破为太阳能利用进入现代发展时期奠定了技术基础。 70年代以来，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家掀起了开发利用太阳能和可再生能源的热潮。1973年，美国制定了政府级的阳光发电计划，1980年又正式将光伏发电列入公共电力规划，累计投入达8亿多美元。1992年，美国政府颁布了新的光伏发电计划，制定了宏伟的发展目标。日本在70年代制定了“阳光计划”，1993年将“月光计划”（节能计划）、“环境计划”、“阳光计划”合并成“新阳光计划”。德国等欧共体国家及一些发展中国...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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太阳能电池片生产工艺流程

一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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太阳能电池片的清洗知识

一、电池片工艺流程制绒(INTEX)---扩散（DIFF）---后清洗（刻边/去PSG）---镀减反射膜（PECVD）---丝网、烧结（PRINTER）---测试、分选（TESTER+SORTER）---包装（PACKING）。二、前清洗（制绒）知识简介 1、RENA前清洗工序的目的：（1）去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）；（2）清除表面油污（利用HF）和金属杂质（利用HCl）；　　（3）形成起伏不平的绒面，利用陷光原理，增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了PN结面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率。 2、前清洗工艺步骤：制绒→碱洗 →酸洗→吹干 Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。所用溶液为HF+HNO3 ，作用：　　（1）去除硅片表面的机械损伤层；　　&...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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太阳能单（多）晶硅棒检验规范的相关术语和定义

1、导电类型conductivity type 2、n-型半导体 n-type semiconductor 多数载流子为电子的半导体。 3、p-型半导体 p-type semiconductor 多数载流子为空穴的半导体。 4、载流子 carrier 固体中一种能够传输电荷的载体，又称荷电载流子。例如，半导体中导电空穴和导电电子。 5、少数载流子minority carrier 小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p型半导体中的电子。 6、杂质浓度impurity concentration 单位体积内杂质原子的数...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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生产芯片需要做的处理

晶片表面清洗洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来，全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。而我在这里将要描述的清洗工艺，将贯穿芯片生产的全过程。半导体工艺的发展过程在很多方面可以说是清洗工艺随着对无污染晶片需求不断增长而发展的过程。晶片表面有四大常见类型的污染，每一种在晶片上体现为不同的问题，并可用不同的工艺去除。这四种类型是： 1．颗粒 2．有机残余物 3．无机残余物 4．需要去除的氧化层通常来说，一个晶片清洗的工艺或一系列的工艺，必须在去除晶片表面全部污染物（上述类型）的同时，不会刻蚀或损害晶片表面。它在生产配制上是安全的、经济的，是为业内可接受的。通常对清洗工艺的设计适用于两种基本的晶片状况。一种叫作前线（FEOL），特指那些形成活性电性部件之前的生产步骤。在这些步骤中，晶片表面尤其是MOS器件的栅区...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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砷化镓超声波清洗工艺

砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料。理论上他将接收到的阳光40%的转化为电能，转化率约是硅的2倍，因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电磁板的材料。然而，超声波清洗器传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片，成本居高不下，限制了砷化镓的广泛应用。砷化镓晶片在清洗工艺上的要求，是希望能够达到对晶片表面上残留的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属、污垢、油污、杂质、蜡点、尘埃、脏点等。在清洗上存在的难题，可以采用超声波清洗机能够达到理想的清洗效果。超声波清洗机的原理分解，可以达到物件全面洁净的清洗效果，特别对盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗设备，不影响任何物件的材质与精度。超声波还具有的强力空腔化作用，可以在短时间内清洗掉砷化镓晶片上的污垢、油污，完全可保证产品的质量。超声波清洗机清洗效果好，清洁度高且全部工件清洁度一致。清洗速度快，提高生产效率，不须人手接触清洗液，安全可靠。清洗砷化镓晶片的高清洗工艺要求，选用超声波清洗机清洗。言之，超声波清洗机的基本原理是以每秒几万次的振动，在液体中产生超声波空化作用形成空化泡。在空化泡消失时产生很大的冲击力，当被洗工件受到这个外力冲击时，工件表面的沾污就被剥离，达...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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高效太阳能电池工艺改进——扩散

太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一，通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um，利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度，提高短波段的光谱响应。一、调整方向 1、提高少子寿命 2、提高短波吸收 3、减少死层 4、提高开路电压二、高方阻的缺点串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密栅高方阻的印刷烧结。三、高方阻实现方法 1、低温淀积+高浓度淀积 ...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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