RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，是去除硅片表面各类玷污的有效方法，所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。 该清洗系统主要包括以下几种药液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾...
一、主要生产设备 二、工艺流程简述GaN基倒装LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蚀、PECVD、蒸镀、退火、SiO2沉积、减薄研磨、划裂、测试、分选和表面检验等。生产流程如图2.2-1所示。(1)清洗：清洗工作是在不破坏外延片表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片先经过酸洗（硝酸）、超纯水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片，通常酸洗56批次（即2天）更换一次酸洗液：以下各类无机和有机清洗槽尺寸和更换频率...
Marangoni 干燥 Marangoni 马兰戈尼干燥是基于 Marangoni 效应发展起来的干燥技术。典型的 Marangoni 干燥过程如图 4 所示。晶片进入干燥系统后，在水槽内溢流。由氮气携带 IPA 气体充满系统，在水面上形成 IPA 气体环境。随后晶片与水面缓慢脱离（可通过晶片提拉上升或缓慢排水两种方式实现） 由于 IPA 的表面...
近日，中国科学院大学微电子学院与中芯国际集成电路制造有限公司在产学研合作中取得新进展，成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷，帮助缩短显影研发周期，节省研发成本，为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。该成果已在国际光刻领域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS发表。超大规模集成电路先进光刻工艺中，图案尺寸越来越小、密度越来越高，显影后的残留缺陷对图案化的...
显影清洗机CSE-华林科纳（江苏）微机电系统（MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为：成膜工艺（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂：扩散 注入 退火）→光刻图形（旋涂/光刻/显影）→干法/湿法/ 刻蚀（湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗）设备概述设备名称：显影清洗机整机尺寸：约1000mm(L) &...
光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构，它对集成电路图形结构的形成，如各层薄膜的图形及掺杂区域等，均起着决定性的作用。 光刻的基本流程：前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面，硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体（如氮气）的烘箱或者真空烘箱中完成...
设备概况：（仅做参考）主要功能：本设备主要手动搬运方式，通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果。设备名称：KOH Etch刻蚀清洗机 设备型号：CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考)：自动设备约2500mm（L）×1800mm(W)×2400mm(H)；被清洗硅片尺寸： 2--6寸（25片/篮）设...