当我们谈论芯片产业时，首先想到的就是光刻、刻蚀、沉积、离子注入、化学机械抛光（CMP）等工艺，在过去的一段时间内，《每日财报》基本对这些环节实现了覆盖。今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质，是芯片制造中步骤最多的工艺，几乎贯穿整个作业流程。由于硅片的加工过程对洁净度要求非常高，所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，因此几乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看来，芯片...
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分：轨道机（...
半导体的工艺流程：主要包括四个方面，单晶硅片制造、IC芯片设计、晶圆制造和封装测试。这四大流程里，除了IC芯片设计对于半导体设备的需求很少，其他3个都需要大量的半导体设备。 单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC晶圆制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散/离子注入设备、湿法设备、过程检测等6大类设备。封装测试需要封装机，封膜机 ，测试机等设备。其中国内湿法设备厂商主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；目前已形成湿槽式清洗、单片刻蚀、干燥甩...
种植体全自动腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE设备名称种植体全自动腐蚀清洗设备适用领域医疗种植体系统设备用途种植体化学腐蚀和清洗的设备基本介绍主要功能：通过对清洗物腐蚀、喷砂→清洗→酸腐蚀→清洗等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果设备形式：室内放置型操作形式：自动设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；18051335986 在种植体制造过程中,完成...
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀 去胶 金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等；主要应用领域：集成电路 声表面波器件 微波毫米波器件 MEMS 先进封装等 设 备 名 称CSE-单片清洗机...
湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。 随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。 ...
一、太阳能电池片工艺流程： 制绒(INTEX)---扩散（DIFF）---后清洗（刻边/去PSG）---镀减反射膜（PECVD）---丝网、烧结（PRINTER）---测试、分选（TESTER+SORTER）---包装（PACKING） 二、我是做清洗的，今天主要跟大家分享一下清洗的工艺电池片制造过程中，有哪些步骤用到清洗呢？1，硅棒硅芯的清洗 ，需要用到硅棒硅芯清洗机 图为华林科纳硅棒清洗机2，制绒刻蚀--碱洗--酸洗 需要用到制绒...
刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采...
全自动制绒清洗机设备--CSE华林科纳（江苏）CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展，致力于“设备+工艺”的研发模式，现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为：预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点：1.独特的双槽制绒工艺槽设计；2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本；3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制；4.机械传动特殊设计及人性化安全保证；5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1...
—来自华林科纳 网络部刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄...