一、主要生产设备 二、工艺流程简述GaN基倒装LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蚀、PECVD、蒸镀、退火、SiO2沉积、减薄研磨、划裂、测试、分选和表面检验等。生产流程如图2.2-1所示。(1)清洗：清洗工作是在不破坏外延片表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片先经过酸洗（硝酸）、超纯水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片，通常酸洗56批次（即2天）更换一次酸洗液：以下各类无机和有机清洗槽尺寸和更换频率...
近日，中国科学院大学微电子学院与中芯国际集成电路制造有限公司在产学研合作中取得新进展，成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷，帮助缩短显影研发周期，节省研发成本，为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。该成果已在国际光刻领域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS发表。超大规模集成电路先进光刻工艺中，图案尺寸越来越小、密度越来越高，显影后的残留缺陷对图案化的...
光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构，它对集成电路图形结构的形成，如各层薄膜的图形及掺杂区域等，均起着决定性的作用。 光刻的基本流程：前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面，硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体（如氮气）的烘箱或者真空烘箱中完成...