3月14日，由国际半导体产业协会(SEMI)中国委员会主办的SEMICON China 2017国际半导体展在上海新国际博览中心开幕。苏州华林科纳半导体设备技术有限公司此次参展给大家带来了半导体湿法清洗解决方案，与众多专业观众以及行业伙伴进行了现场交流，深入交流了半导体湿法清洗的相关技术要求以及工艺，其中 单片清洗机、黑硅制绒设备、晶圆电镀设备、湿法刻蚀机设备、甩干机以及兆声清洗机受到很多客户详询，现场人气也是爆满。更多半导体湿法腐蚀清洗相关的新闻请关注www.hl...
LED 芯片是一种将直接电能转化为光能的半导体器件，是现代信息产业的核心器件。随着我国科学技术的不断进步与微电子设备研制的发展，国内从事芯片设计制造企业也逐渐增长到几百家，但是他们普遍自主知识产权及自主创新设计制造水平不高。LED 芯片制造及高端 封装技术是技术密集型产业，其发展水平离不开高端工艺与硬件设备。近年来国内微电子设备产业急速扩张，而支撑其技术引领的高端设备却严重缺乏，发展瓶颈逐渐成形。目前产业高端设备依然依赖国外进口，亟需...
半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching)，等离子刻蚀(Plasma Etching)，反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。与其它刻蚀技术相比，湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低，对硅片上器件几乎无损害，高选 择比。缺点是各向异性差，工艺控制性(对温度敏 感)差，微颗粒控制差，化学品处理费用高，由于气 泡等因素很难使用于小的图形。 半导体工业中的湿法刻蚀工艺，主要使用酸 液...
半导体行业最新新闻资讯 2017年我国将调整集成电路等进出口关税据财政部发布消息，经国务院关税税则委员会审议通过，并报经国务院批准，自2017年1月1日起，我国将调整部分商品的进出口关税。据介绍，明年关税调整将秉承创新驱动发展的理念，继续鼓励国内亟需的先进设备、关键零部件和能源原材料进口，以进口暂定税率方式降低集成电路测试分选设备、飞机用液压作动器、热裂解炉等商品的进口关税。为丰富国内消费者的购物选择，还将降低金枪鱼、北极虾、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消费品...
湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。 随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。 ...
半导体设备为集成电路产业之支撑 半导体设备是产业链上游重要环节，是生产部门不可或缺的生产资料。从半导体产业链中可以看出，无论是上游设计制造，还是下游封装测试，几乎每一个产业环节都需要相关设备的投入。半导体设备是下游半导体制造及封装企业的主要投入，芯片生产线的70%以上是半导体设备支出。 ·行业景气，晶圆制造设备前景可期 半导体设备与产业相关性强，BB 值显示已经进入景气期。今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集，预计全年将取得出色成...
刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采...
—来自华林科纳 网络部刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄...
设备概况：（仅做参考）主要功能：本设备主要手动搬运方式，通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果。设备名称：KOH Etch刻蚀清洗机 设备型号：CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考)：自动设备约2500mm（L）×1800mm(W)×2400mm(H)；被清洗硅片尺寸： 2--6寸（25片/篮）设...
刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化...