华林科纳产品分类 - 单片刻蚀清洗设备 - 晶圆电镀设备

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

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旋转式喷镀台-CSE

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

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双腔甩干机

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

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枚叶式清洗机-华林科纳CSE

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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自动供酸系统（CDS）-CSE

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

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单片清洗机CSE

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

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氢氟酸HF自动供液系统-CSE

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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晶片凸点电镀设备-CSE

晶片凸点电镀设备-华林科纳（江苏）CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

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IPA干燥系统设备-CSE

IPA干燥设备-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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酸/碱刻蚀机

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

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高温磷酸清洗机

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

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芯片镀金设备-CSE

芯片镀金设备-华林科纳（江苏）CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。华林科纳（江苏）的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称华林科纳（江苏）CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网w...

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