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2017年我国将调整集成电路等进出口关税

据财政部发布消息，经国务院关税税则委员会审议通过，并报经国务院批准，自2017年1月1日起，我国将调整部分商品的进出口关税。

据介绍，明年关税调整将秉承创新驱动发展的理念，继续鼓励国内亟需的先进设备、关键零部件和能源原材料进口，以进口暂定税率方式降低集成电路测试分选设备、飞机用液压作动器、热裂解炉等商品的进口关税。

为丰富国内消费者的购物选择，还将降低金枪鱼、北极虾、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消费品的进口关税。为回应国民对医疗和健康的关注，降低生产抗癌药所需的红豆杉皮和枝叶、治疗糖尿病药所需阿卡波糖水合物的进口关税。

为充分发挥关税对国内产业的保护作用，明年对此前实行暂定税率的丙烯酸钠聚合物、具有变流功能的半导体拈等商品的进口关税税率进行相应调整。明年还将取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口关税，适当降低三元复合肥、钢坯等商品的出口关税。

为扩大双边、多边经贸合作，加快实施自由贸易区战略，明年我国将继续对原产于25个国家或地区的部分进口商品实施协定税率，其中需进一步降税的有中国与韩国、澳大利亚、新西兰、秘鲁、哥斯达黎加、瑞士、冰岛、巴基斯坦的自贸协定；商品范围和税率水平均维持不变的有中国与新加坡、东盟、智利的自贸协定，以及亚太贸易协定；同时，内地分别与港澳的更紧密经贸安排（CEPA）将适当增加实施零关税的商品范围，海峡两岸经济合作框架协议（ECFA）的商品范围和税率维持不变。

2016年9月，我国实施了部分信息技术产品的最惠国税率首次降税，这一优惠将在明年上半年继续实施，并于明年7月1日起启动第二次降税。2017年，我国还将继续以进口暂定税率方式执行APEC环境产品降税承诺，并继续给予有关最不发达国家零关税待遇。

此外，2017年我国还将对进出口税则税目进行调整，调整后的税目总数将增加至8547个，税目结构将更加符合国际贸易发展的实际需要。（出自：新华网）

硅晶圆明年调涨价格10％

暌违8年，半导体矽晶圆（silicon wafer）终于再度“涨”声响起！矽晶圆厂上周与台湾半导体厂敲定明年第一季12寸矽晶圆合约价，是近8年首度涨价，平均涨幅约10％，20奈米以下先进制程矽晶圆更是一口气大涨10美元，环球晶、台胜科成为最大受惠者。

由于近几年矽晶圆厂均无扩产计划，现有产能无法足额供货，且预期大陆晶圆厂庞大需求将在明年下半年浮现，而新建矽晶棒铸造炉至少要一年以上时间。在此一供需环境，业界对第明年二季合约价续涨已有共识，下半年价格涨幅恐将再扩大，部份半导体厂更决定直接签下一年长约。

包括环球晶、台胜科等台湾矽晶圆厂，崇越等矽晶圆代理商，及国外矽晶圆厂如SUMCO、信越等，上周陆续与台湾半导体厂完成明年矽晶圆议价及签订新合约。业者表示，第一季虽然半导体市场淡季，但包括台积电、联电、力晶、南亚科等，均接受矽晶圆厂调涨价格。

据了解，12寸抛光矽晶圆（polished）原本合约均价为每片50～60美元，外延矽晶圆（epitaxial）为每片80美元，第一季均调涨10％幅度。20奈米以下高阶矽晶圆原本合约均价约120美元，第一季已调涨10美元至130美元左右。

在这波矽晶圆涨价潮中，环球晶的表现最受法人青睐，因为环球晶看准市场即将供不应求，抢在涨价前完成并购案，如今已是全球第三大矽晶圆厂。

法人指出，环球晶2012年收购日商Covalent Silicon不到1年就亏转盈，去年中决定并购SunEdison（SEMI）时曾一度被市场看衰，但现在却将环球晶推上全球第三大矽晶圆厂，更迎接此波8年来首度涨价潮。（出自：工商时报）

北方微电子单片退火系统进入14纳米工艺验证阶段

近日，七星电子全资子公司北方微电子推出的Booster A630 plus 单片退火系统，成功进入中芯国际上海先进工艺生产线验证。据悉，这是北方微电子继NMC 612D硅刻蚀机之后，第二台进入14纳米工艺验证阶段的机台。

目前，世界范围内集成电路产业发展突飞猛进，工艺制程向更加精细化的方向发展，这对14纳米工艺设备提出了更严苛的挑战。随着北方微电子28纳米工艺设备陆续实现商用化，14纳米工艺设备开发也取得了突破性进展。本次推出的Booster A630 plus 单片退火系统，在28纳米技术基础上，通过设计优化，大幅提高了系统洁净度，提升了机台的可靠性。Booster A630 plus 单片退火系统具备双模加热、升温速率高、温度均匀性好及产能大等特点，工艺指标达到国际先进水平。

七星电子方面认为，公司作为中国集成电路高端装备的先行者，将深耕发展，开拓创新，加快先进工艺设备的开发速度，为我国集成电路产业健康发展作好装备配套支撑。（出自：证券时报）

海力士72 层3D NAND 内存，传2017年领先全球量产

SK 海力士最先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。

若按计划进行，海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温，海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。

随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

据市调机构 DRAMeXchange 统计，三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元，市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居第二，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。（出自：MoneyDJ新闻）

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