欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

浸入式光刻技术中抗蚀剂成分浸出

时间: 2022-02-10
点击次数: 49

浸入式光刻技术中抗蚀剂成分浸出

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

从模型抵抗薄膜中浸出到静态水量中的过程遵循一级动力学。从饱和浓度和浸出时间常数出发,得到了时间零处的浸出速率,这是评价透镜污染潜力的一个高度相关的参数。在模型中看到的浸出水平通常超过静态和基于速率的动态浸出规格。浸出对阴离子结构的依赖性表明,疏水阴离子越多,饱和浓度越低,而浸出的时间常数随着阴离子链长度的增加而增大。因此,在我们的模型系统中,非烧脱离子和PFOS阴离子的初始浸出速率是相同的。对水预冲洗过程的调查意外地表明,虽然预冲洗时间大大超过了浸出现象饱和所需的时间,但一些PAG仍可从表面浸出,预计这相当于表面可浸出PAG的完全耗尽。提出了一个模型,通过在预冲洗过程中空气/水/空气接触序列中表面能量的变化来解释这一现象。

 

实验

使用的模型PAGs为三苯基三氟酸磺酸、非磺酸和全氟磺酸,这是商业获得的。模型电阻剂在PGMEA中配制,并使用每g固体36µmolePAG的PAG加载。在4英寸或8英寸的晶片上,软烘烤130°C后,薄膜厚度约为150nm。浸出实验要么在前面描述的全晶圆浸没装置1中进行,要么使用直接放置在晶圆表面的Oring(内径4厘米)进行。对于全晶片浸没装置,需要约45ml的水来完成填充,对应于8“晶片上方约1.3mm的水柱高度。在o形环法中,将称重量的水(约4.3-4.9g)迅速倒入圆环中,并在规定的时间间隔后通过一次性塑料移液管取出。从o形环/晶圆界面没有观察到泄漏。

 

理论

PAG浸出以前已经被多种方法证明是一种表面现象,例如,在水接触前和后抗蚀胶表面PAG密度的NEXAFS研究,或浸出量对抗蚀胶膜厚度的独立性。实际上只有一小部分总的PAG(200纳米厚的薄膜约为3-5%)被浸出。研究发现,浸出饱和得相当快:在非TPS的情况下,放射性标记研究和时间分辨率有限的早期动力学研究表明,浸出的PAG水平在10-300秒之间保持不变。

与上述观察结果一致的最简单的模型假设,PAG的浸出仅取决于表面存在的PAG分子的数量。在目前最受青睐的浸入式扫描仪的淋浴器头配置中,浸入式水坑与暴露场的预期接触时间约为1秒。仅使用简单的实验室装置,如全晶圆浸没工具或上述o形环装置,如果将水引入晶圆表面并在如此短的时间内回收水,就存在巨大的实验困难。然而,通过将实验可达到的时间(≥2秒左右)的数据点拟合到Eq中,可以方便地、准确地测定饱和浓度C∞和时间常数β。因此,我们提出了这种方法作为确定光阻剂初始浸出速率的一般方法。

 

结果和讨论

在预冲洗实验中观察到一个意想不到的结果,其中一个晶片被连续水流了30或60秒。随后的重新浸入表明,重新浸出率约为原始速率的12%,这一结果表面上与观察到的饱和行为不一致:只有当所有可浸出的PAG都从表面去除时,才会发生饱和。然而,在30和60秒浸泡数据集之间没有观察到差异的事实与饱和是一致的。如果假设浸泡后的表面由于干燥过程而发生了变化,那么就可以解决这个明显的矛盾。现有数据与以下关于浸出和再浸出现象的模型一致:

在旋转涂层和烘烤过程中,PAG在低能量的空气/电阻界面上富集。富集的程度由PAG的性质决定的。更多的疏水材料有更高的倾向于迁移到表面,特别是如果其中一种成分能够向空气界面呈现长碳氢化合物或氟碳链。

在浸没过程中,空气被水取代,界面的性质变为高能界面。PAG按照一阶动力学溶解,远离表面;所有可浸出的PAG在几秒钟后离开,表面PAG耗尽。同时,随着标准的菲克式扩散,水开始扩散到抗蚀剂中。有可能是一些PAG从高能界面中迁移出去,并被迁移到薄膜中的水所捕获。从测量的水扩散常数来看,系统在典型的浸泡时间内远未达到平衡。

在将水从表面去除后,抗蚀剂膜开始干燥。抗蚀剂表面再次接触空气,现在再次是有利于疏水/氟化成分的低能界面。水从薄膜中扩散的运动捕获了一些PAG,并将其移动回表面。PAG重新填充表面并重新生成一层可下载的PAG,尽管其级别比原来要低得多。

 

结论

我们已经证明,离子PAGs从模型抵抗薄膜浸入静态体积遵循一级动力学。将浸出数据与一阶反应方程进行拟合,得到饱和浓度和浸出时间常数。他们的产品是时间零时的浸出率,由于典型的全场浸入工具具有动态配水和水接触时间短,这是评估透镜污染潜力的一个高度相关的参数。我们建议使用这种拟合方法来确定静态和动态浸出参数。

在模型中看到的浸出水平的抗性大大超过了一个供应商基于浓度的静态浸出规范,并且达到或高于另一个供应商基于速率的动态浸出规范。看来,抵抗剂的配方和成分将需要优化,以使光刻胶的使用没有顶部保护涂层。浸出对阴离子结构的依赖表明,疏水阴离子的增多会导致饱和浓度的降低;然而,同时浸出的时间常数随着阴离子链长度的增加而增大。这导致了在我们的模型系统中,非烧离子和PFOS阴离子的初始浸出速率是相同的。需要进一步研究阳离子改性的影响,以及研究具有较低表面积累趋势的低扩散阴离子。

对水预冲洗过程的调查意外地表明,虽然预冲洗时间大大超过了浸出现象饱和所需的时间,但一些PAG仍可从表面浸出,预计这相当于表面可浸出PAG的完全耗尽。提出了一个模型,通过在预冲洗过程中空气/水/空气接触序列中表面能量的变化来解释这一现象。


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开