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硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
本发明涉及评估硅晶片内部缺陷(defect)的方法，在半导体器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高纯度多晶硅棒后。随着超大规模集成(ULSI)电路设备(device)密度的增加，设备所在晶片表面的活动区域没有缺陷和污染，安全的降级区，特别是，在设备制造过程中，被热遗弃的晶片内部的缺陷不仅表明消除对设备电气特性有致命影响的金属杂质的有益影响，而且对晶片的强度也有重要影响，因此准确评价晶片到目前为止，硅晶片内部的缺陷评价一直是通过将热处理过的晶片切割干净或角聚化后用光(wright)蚀刻液不均匀地蚀刻缺陷，用光学显微镜观察蚀刻过的缺陷部位来进行的。
从上述晶片的切面简单地用光蚀刻来评价出现的缺陷密度的方法具有简单可行的优点，但根据硅片的类型，表面出现了artifact，观察缺陷有困难。将现有硅晶片内部的缺陷评价球晶显示在第一度。根据上述方法，特别是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蚀刻后表示良好的morphology(形态)，但P(111)、N(111)内部存在的缺陷种类及密度的技术相当重要。
本发明旨在解决现有技术)存在的问题，目的是通过对所有硅片形成良好的Mopolo纸，提供一种硅片蚀刻预处理方法，以准确评估热处理和外延生长后硅晶圆内部有机缺陷的种类和密度。此外，还对硅片进行角聚化，对上述角聚化的硅片进行最终聚化，]对上述最终聚化的硅片进行超声波清洗后，用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅片进行SC-1清洗后，用去离子水冲洗，将上述清洗和冲洗的硅片用佛山三次后，用去离子水冲洗。
首先准备热处理和外延生长的硅片样品，用大约40分钟对晶片水平面倾斜0度17分钟至11度32分钟，得到角度聚合的硅片。将上述愤怒的硅片聚合约10分钟，最终聚合。可以在上述角度抛光中使用玻璃板或浆料。上述超声波清洗将起到清除硅片表面异物的作用。 在第二图中表示了根据本发明使用蚀刻预处理方法的硅晶片内部耦合评价方法。在上述评价方法中，将经过刻蚀预处理过程的硅片浸泡在光溶液中约5分钟，蚀刻缺陷染色。用后去离子水冲洗5分钟，用光学显微镜观察晶片样品。
将P(111)晶片样品对硅片的水平面倾斜11度32分钟，用玻璃板对其进行40分钟角化[0016]聚合后，用聚合垫(Suba公司制造)在10分钟前进行最终聚合。用超声波将这个假装5分钟，然后用去离子水冲洗10分钟。用氨、过氧化氢和去离子水的比例为1:2:30的SC- 1清洗10分钟，用去离子水冲洗5分钟。再次用佛山和去离子水比例为1:30的佛山清洗5分钟，用去离子水冲洗5分钟，然后浸泡在光溶液中5分钟，称为缺陷染色，用去离子水冲洗5分钟。通过光学显微镜观察经过上述过程的晶片样品，并将结果显示在第3(a)图中。
图4b
除了上述比较例1中使用了N(111)晶片样本外，与比较例1实际上实施相同，结果显示在第4(b)图中。
从上述结果可以看出，通过实施例的方法蚀刻染色的硅晶片与比较例相比，没有形成沉积物[0031]，形成了良好的Mopolo纸。根据本发明的硅晶片的蚀刻预处理方法包括所有种类的硅晶片，特别是P(111)、N(111)、P [0032] Epi/N(100)、N Epi/N(100)、N Epi此外，还可用于硅晶体生长技术及设备过程的开发分析。
最终聚合角度聚合的硅片，用超声波清洗上述最终聚合的硅片后，用去离子水冲洗，上述清洗和冲洗的硅片用SC-1清洗后，用去离子水冲洗；清洗和冲洗的硅片用佛山清洗后，用去离子水冲洗的步骤，含有的将硅片角化；对上述角度聚合的硅片进行最终聚合；用超声波清洗上述最终聚合的硅片后，用去离子水冲洗；上述清洗和冲洗的硅片用SC-1清洗后，用去离子水冲洗；上述清洗和冲洗的硅片用佛山清洗后，用脱离子水冲洗；上述清洗和冲洗的硅片沉积在光蚀刻液中，以染色蚀刻；用光学显微镜观察上述染色蚀刻的硅片；含有的硅片内部缺陷评估方法。