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引言

本设计涉及自旋干燥器的晶片导向结构， 更详细的说明是为了减少蚀刻后的晶片在干燥中的颗粒所造成的污染， 内侧有支撑各种结构的躯体， 使多个晶片在上述体内侧可旋转支撑的多个回收站， 对于由多个晶片导轨组成的自旋驱动装置，上述每个晶片的边缘结合在一起，从而使上、下晶片在一定的间隙内高速旋转， 上述晶片导轨的特点是，由倾斜角度约为12°的斜角槽和宽约为0.9 mm的长方形槽组成，使与晶片的摩擦最小化。

图1

图1a为城市通常自旋干装置的一部分的平面图，图1b为城市图1a的1-1线的部分截面图。 其中， 图1b是图1a的1-1线， 上述晶片导轨形成了倾斜的倾斜凹槽，以使晶片的边缘易于插入； 与上述倾斜凹槽联通时，形成了一定宽度及一定深度的矩形槽。

进行这种配置的传统自旋干燥器的晶片导轨在多个晶片插入上述晶片导轨的直方槽后， 其作用是在超纯水喷射到上述晶片表面的同时，在高速旋转（大约为1200RPM）的过程中，抓住晶片以防止上述晶片移动。 当然，在上述晶片的高速旋转下，残留在上述晶片上的蚀刻液都会外排。但是，这种传统的自旋干燥器的晶片导轨存在着一个问题，由于与晶片的摩擦，大量的particle和物质留在晶片的边缘，导致晶片被顶出（reject）处理。也就是说， 由于晶片边缘与上述晶片导轨的矩形槽之间的摩擦，上述矩形槽可能会轻微损坏， 这些损坏导致的碎片留在上述晶片的边缘等，成为晶片顶出的一个因素。

因此，本设计旨在解决以往的问题，本设计的目的在于提供一种可减少蚀刻的晶片在干燥中由刨花板造成的污染的自旋干燥器的晶片导向结构。

为了达到上述目的，本设计采用了内侧支撑各种结构的躯体， 使多个晶片在上述体内侧具有可旋转支撑的多个回收站， 在由多个晶片导轨组成的自旋干燥器中，上述每个晶片的边缘结合在一起，使上、下晶片在有小间距的情况下高速旋转， 为使与晶片的摩擦最小化，其特点是由具有一定倾角的斜角槽和与上述斜角槽相连且宽约0.9 mm、倾角约为12°的长方形槽组成。根据上述设计的自旋干燥器的晶片导轨结构， 其优点是晶片的Edge和韦离片导轨的摩擦最小化，并相应地使矩形槽的损坏最小化，从而使晶片被刨花板污染的现象也最小化。

图2为本设计的自旋干燥器晶片导轨结构的城市部分剖面图

以下在本设计所属的技术领域具有通常知识的人可以方便地实施本设计，参照所附图纸详细说明本设计的可取实施例如下: 见图2，由本设计的自旋干燥器的晶片导轨结构的部分截面成图。 首先， 虽然未成城，但在内侧支持各种结构的躯体， 在上述躯干内侧， 所述各晶片的Edge结合在一起，使上、下部的晶片在具有规定间隙的情况下高速旋转的多个晶片导轨，使自旋干燥器 构成。其中，根据本发明的晶片导轨， 尽量减少与晶片的摩擦； 形成了具有小静倾斜的经斜坳陷； 在所述倾斜凹槽上联通，其宽度大约为0.9 mm，形成了一个坡度大约为12°的矩形槽。 说明进行这种构成的本设计对晶片导轨结构的作用， 晶片的厚度[0018]大约为0.731 mm， 由于矩形槽的宽度延伸0.9 mm，并且槽的坡度也延伸到12°，使得将晶片安装在晶片导轨上时的摩擦减小。

也就是说， 晶片Edge与倾斜凹槽和矩形槽之间的摩擦将减小，相应地，上述倾斜凹槽和矩形槽的损伤也将减小。 因此，最终在晶片的自旋干燥剂后，使上述晶片的刨花板所造成的污染大大增加。就会降低。如以上所述，本设计虽然仅限于上述实施例说明，但本设计仅限于上述实施例，在不超出本设计的范畴和思想的范围内，各种变形的实施例也是可能的。

因此，根据本设计的自旋干燥器的晶片导轨结构，晶片的边缘与晶片摩擦最小化，从而使矩形槽的损坏最小化，从而使晶片被刨花板污染的现象也最小化的效果.