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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响

时间: 2021-12-01
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 显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响

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引言

目前,193纳米光刻的K1远低于0.4,显著增加了整个光刻工艺的工艺复杂性和成本。ITRS要求32 nm和22 nm节点分别实现1.7 nm和1.2 nm的LWR (3s),剂量灵敏度为(5至15) mJ/cm2。为了理解剂量灵敏度、LWR和分辨率之间的权衡,需要使用模型EUV光致抗蚀剂系统研究潜像形成和显影图像的组合效应。以前对这种模型光致抗蚀剂聚合物中酸扩散的研究表明,去保护分布的空间范围随着剂量或酸浓度的增加而增加,但即使不使用碱猝灭剂2,3,它也能自限于光致抗蚀剂的未曝光区域。我们研究了PAG负载和显影剂强度对EUV图案保真度的影响。

 

实验

使用的模型光致抗蚀剂是聚(羟基苯乙烯-丙烯酸共叔丁酯)(P(HOSt-co-tBA))(数均相对摩尔质量(Mn) = 11,459 g/mol,多分散指数(PDI) = 1.83,含有49摩尔%的HOSt和51摩尔%的tBA(杜邦电子聚合物)。该模型光致抗蚀剂和显影剂溶液中不含其他添加剂,因此可以对PAG加载和显影剂强度的影响进行受控研究。当提到PAG载荷(或浓度)时,从这一点开始,它将被暗示为质量百分比。对于对比曲线表征,SEMATECH-North Albany抗蚀剂测试中心Exitech MET与相同的PAB和PEB一起用作模式研究。在所有晶片上的EUV曝光之后,立即在90℃下进行30 s的曝光后烘焙,并使用各种浓度的TMAH显影60 s,然后用去离子水冲洗。

使用模型光致抗蚀剂系统的主要目的是用更少的材料参数理解从潜像到显影图像的图案转移,而不是最大化图案分辨率。为了进行线宽粗糙度性能比较,对120纳米和100纳米设计线宽子场以1:3的半嵌套间距进行数据分析,以最小化聚焦效应6。使用离线临界尺寸测量软件,从上到下对放大100,000倍的扫描电镜图像进行LWR分析。扫描电子显微镜图像是从最佳焦点处的3×3明场测试图案的中心场模具拍摄的。对于每个EUV曝光剂量条件,从120纳米和100纳米1:3子场图案内的几个随机位置捕获扫描电镜图像。CD和LWR (3s)的离线测量分析在0.5 pm长度上的每个捕获的自上而下SEM图像内的3条线上进行。本研究中使用的航空图像强度剖面和图像对数斜率是通过将ALS MET特定像差文件导入航空图像模拟器获得的。

1显示了在用3种不同的三甲基氯化铵显影剂浓度(0.26牛顿、0.1牛顿、0.065牛顿)显影后,5 %和15 % PAG加载的归一化抗蚀剂厚度与EUV剂量的关系。EUV剂量清除(E0)对显影剂强度的依赖性在两种PAG载荷下都观察到,在显影剂较弱的对比曲线中有明显的拖尾力量。然而,对于给定的PAG载荷,对比度斜率随着显影剂强度保持不变。对比曲线中尾部较长的原因目前尚不清楚,需要进一步研究。

  显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响

1

不同PAG浓度(mmole/g)下清除50 %初始膜厚(E50)所需的EUV剂量受显影剂强度的影响如图2所示。选择清除50 %薄膜厚度的剂量,以消除显影剂强度较低时突出显示的对比曲线尾部。该图说明了显影剂强度对调节EUV光刻胶模型中表观剂量灵敏度的影响。因此,尽管较低的显影剂强度对于抗蚀剂敏感性来说是不希望的,但是在较高的PAG负载下,该效果具有较小的工艺变化,适合于微调EUV光刻胶性能的工艺条件。

  显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响

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  显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响

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6显示了PAG负荷对LWR的影响,与同一天在LBNL气象站用0.065 N TMAH开发的暴露样本进行了比较。它显示了图像对数斜率的LWR相关性(图6 a),并证明了在EUV曝光下,我们的模型光刻胶中15 %的较高PAG加载与较低的显影剂强度相结合所实现的LWR性能改善(图6 b)。累积概率图如图6所示。(b)使用CD偏差在-15纳米至+15纳米范围内的LWR数据。对于在0.065 N TMAH中开发的模型光致抗蚀剂,15 % PAG负载下的平均LWR值为6.5 nm,而PAG负载下的平均值为11.8 nm。与3 %的PAG加载相比,10 %的PAG加载数据是唯一一组未显示LWR改进的数据,并且无法确定根本原因。

如图9所示,尝试使用化学力显微拷贝12来解析凹坑形成的潜像(在TMAH显影之前)。它清楚地显示了对于5 mJ/cm2,3 %和15 % PAG加载潜像之间的差异,突出了去保护图像形成在该具体例子中是PAG有限的,但是孔或袋的形成不能从这些样品中分辨出来。进一步的研究正在进行中,以将潜像与EUV曝光的模型光刻胶的显影图像相关联,以查看潜像去保护不均一性是否是空穴/口袋形成和最终图案保真度的原因。

 

讨论和结果

我们已经展示了模型EUV光刻胶系统的图案化能力。这是研究氢氧化物水溶液显影对清晰潜像到最终图案的影响的第一步,可能有助于澄清分辨率限制的来源,并确定提高分辨率的处理策略。使用一系列PAG载荷和显影剂强度进行对比相关实验。结果表明,在我们的EUV光刻胶模型中,较高的PAG负载量和较低的三甲基环己烷显影液浓度有助于降低LWR。在最高PAG负载(15 %)下,我们没有观察到性能问题。线条形成之前会出现可能与潜像或显影效果有关的孔洞和凹穴。


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