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污染控制有机物：

清洁有机污染物一直很重要以防止粘附问题和表面问题的掩蔽。然而，直到最近，量化有机污染才变得重要。（表 1 所示的水平是基于推测，并非基于实际数据。）离子和金属：去除这些杂质显然是至关重要的，因为作为导电材料，他们会导致严重的电气问题 如果它们出现在错误的地方，以错误的浓度出现。对于每一代设备，可接受水平的行业要求（表 1）变得更加严格，提高了 10 倍。但是，有迹象表明要求可能不像这里显示的那么严格。

表面控制

表面粗糙度：虽然只有 清洁工程师最近关注的一个问题是，毫无疑问，在某些情况下，表面粗糙度可能是一个主要问题。然而，关于地点和水平的明确解释仍然存在。

需要注意的是，垂直粗糙度并不是唯一需要考虑的重要测量指标。要求现在认识到横向尺寸的伴随测量也很关键。

表面终止： 表面终止在各种关键清洁步骤（如外延、栅极和发射极）中的重要性已经促使人们相信氢终止是大多数需要裸硅的工艺步骤之前的清洁的正确最终状态。虽然在某些情况下终止氧化物的步骤是有用的，但这种要求将推动更好地控制氧化物蚀刻和去除的需要。

气相清洁的早期成功

业界第一个蒸汽清洁系统使用无水 HF 与水蒸汽结合在硅化钨形成之前清洁多晶硅栅极。当使用湿法清洁技术时，这种硅化物工艺容易出现分层和粘附问题。在这种情况下，蒸汽清洁因其技术优势而产生了影响。

自从 它在硅化钨清洗、蒸汽清洗方面的成功 已在 RIE 聚合物去除方面取得积极成果 和某些其他特定于应用程序的利基。但是，通常需要用水冲洗来处理浮渣、颗粒和金属残留物。这种对水的依赖需要将系统集成到 CVD 等真空工艺时的缓冲模块。

单晶圆： 集成可能性将推动转向单晶片清洁。随着晶圆尺寸增加到 12 和 16 英寸，它提供了额外的控制。尽管“总拥有成本”计算可能表明单晶片气体处理具有成本竞争力，但出于吞吐量方面的考虑，大多数工程师会在可能的情况下尝试保留批处理。

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