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摘要
在未来几代器件中，去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线（ FEOL）后离子注入（源极/漏极、扩展），使用PR来阻断部分 电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线（BEOL）蚀刻中，除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性。
介绍
光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等影响。工艺完成后，需要选择性去除光刻胶并清洁表面，确保表面无残留物和颗粒。使用湿化学物质，如热 SPM、有机溶剂或使用干等离子体“ 灰化”，原则上可以去除抗蚀剂。然而，抗蚀剂在干法蚀刻或注入处理期间被化学改性，并且适种改性可以显著降低剥离速率。
图1所示 当pet被光刻阻保护时(不按比例)，选择性结植入到fet的示意图
图2 x.裸硅衬底上KrF抗蚀线的扫描电镜显微图(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蚀变薄，模糊，结痂。
当前的方法
为了达到足够，从而达到可接受的低周期时间，以及良好的残留去除，腐蚀等离子体str ip化学与晶片加热结合使用。 这些典型的inyolye等离子体是基于高度氧化的自由基。 为了增强结壳带，在等离子体中加入含f的物质。 然而，这些倾向于攻击暴露的氧化硅衬底。 为了解决这个问题，通常采用两步工艺:含f的结壳带和无f的散装带 。
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