华林科纳砷化镓生产工艺-砷化镓清洗设备
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构， 晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带 宽度1.4电子伏。 砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓 可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上 的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、 红外探测器、γ光子探测器等。 由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在 制作微波器件和高速数字电路方面得到重要 应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、 高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强 等优点。
砷化镓备料——对坩埚及备件的处理：
1将石英件和PBN坩埚放入煅烧炉中煅烧 目的是除去坩埚表面的杂质；
2将石英件和PBN坩埚送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在坩埚上的金属离子；
3将石英件和PBN坩埚用纯水清洗 目的是洗去酸液；
4将石英件和PBN坩埚用超声波清洗 目的是除去剩余的小颗粒杂质 将石英件和PBN坩埚烘干。目的是除去水分；
5将石英件和PBN坩埚送入装料间备用。
砷化镓备料——对籽晶、多晶的处理：
1用砂纸对籽晶和多晶进行打磨
2将籽晶和多晶送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在籽晶和多晶的金属离子
3将籽晶和多晶送入清洗间用纯水进行清洗目 的是洗去酸液
4用沸水清洗，将籽晶和多晶送入烘干箱内烘干
5将籽晶和多晶送入装料间备用
将籽晶和多晶送入装料间备用：
A将单质砷和单 质镓按一定的 比例装入PBN 坩埚中并加入 B2O3作覆盖 剂
B将配比好 的物料及PBN 坩埚一起送入 合成炉中进行 多晶的合成
C在多晶合成完 成之后对多晶 进行一定的处 理后送入单晶 炉中进行单晶 的拉制
D在单晶拉制完 成后要把单晶 送入退火炉中 退火
E在完成退火之 后要对单晶进 行初加工
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