一、太阳能电池片工艺流程:
制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)
二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工艺
电池片制造过程中,有哪些步骤用到清洗呢?
1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗机
图为华林科纳硅棒清洗机
2,制绒刻蚀--碱洗--酸洗 需要用到制绒腐蚀清洗机
图为华林科纳制绒腐蚀设备
3,长时间扩散后需要对石英管进行清洗 需要石英管清洗机
图为华林科纳石英管清洗机
下面讲一讲具体的步骤
(一)前清洗
1.RENA前清洗工序的目的:
(1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)
(2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)
(3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。
2、前清洗工艺步骤: 制绒→碱洗 →酸洗→吹干
Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用:
(1).去除硅片表面的机械损伤层;
(2).形成无规则绒面。
Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,作用:
(1). 对形成的多孔硅表面进行清洗;
(2).中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。
Acidic Rinse:酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF,作用:
(1).中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液;
(2).HF可去除硅片表面氧化层(SiO2),形成疏水表面,便于吹干;
(3).HCl中的Cl-有携带金属离子的能力,可以用于去除硅片表面金属离子。
3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:
HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O
SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O
SiF4+2HF=H2[SiF6]
Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2
4. 前清洗工序工艺要求
(1) 片子表面5S控制
不容许用手摸片子的表片,要勤换手套,避免扩散后出现脏片。
(2)称重
a.每批片子的腐蚀深度都要检测,不允许编造数据,搞混批次等。
b.要求每批测量4片。
c.放测量片时,把握均衡原则。如第一批放在1.3.5.7道,下一批则放在2.4.6.8道,便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。
(3)刻蚀槽液面的注意事项:
正常情况下液面均处于绿色,如果一旦在流片过程中颜色改变,立即通知工艺人员。
(4)产线上没有充足的片源时,工艺要求:
a.停机1小时以上,要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。
b.停机15分钟以上要用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀,以防酸碱形成的结晶盐堵塞喷淋口及风刀。
c.停机1h以上,要跑假片,至少一批(400片)且要在生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印。
(5)前清洗到扩散的产品时间:
最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化,到扩散污染炉管,从 而影响后面的电性能及效率
5. 前清洗工序常见工艺问题
常见故障原因及解决方法
前清洗工艺刻蚀深度不稳定a观察来片是否有异常,或者来片一批中是否是不同晶棒组成,因为不同的片子会对应不同的刻蚀速率。
b查看溶液颜色,正常的颜色应该是灰色偏绿。如果觉得颜色过浅,流假片,一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。
硅片表面有大面积黄斑观察碱槽溶液是否在循环,若没有循环,手动打开循环.若有循环则说明碱浓度不够,需要补加碱.硅片表面有小白条观察气刀是否被堵,通过查看硅片通过气刀下方时表面液体有无被吹干判断。
滚轮速度较低或较高a一般我们要求滚轮在1.0~1.2的速度下流片,因为过低的速度会影响产量,过高的速度风刀很难将硅片吹干。所以如果滚轮速度小于1.0,需要手动加液,一般按2升HF,5升HNO3进行补液。同时可以将温度提高,以1度为一个单位升高(可在5~8度之间进行调整)。但是对于温度的设定,我们一般选择较低的温度,因为较低的温度下可以得到很稳定的化学反应,所以温度一般不建议调高,b如果滚轮速度过高,在温度降低仍不能满足要求的情况下,可以加水,但是仅能以2升为一个单位加入。前清洗工艺碱槽或酸槽不循环观察设备下面的循环平衡有没有冒泡泡
原因分析:
a: 可能风刀堵塞,使溶液跑到水槽2中;
b: 可能喷淋堵塞;
c: 可能滤芯堵塞;
解决方法:
a:先期在初始界面处可以发现各自对应的模板,在“ready”
“not ready”之间闪动,此时需要工艺立即补液(HCL:HF:DI=3:2:14;KOH:DI=1:10)
b:通知设备通风刀(冒泡泡)或清洗更换滤芯
(补加了药水后还没循环,浮标沉到底部不起来)
碱槽或酸槽流量变小 工艺需要检查槽中溶液是否满,如果不满则添药液;如果是满的,则通知设备检查滤芯是否需要更换或清洗。
流量突变,不能达到工艺设定流量 前清洗流量会突然变为0,此时设备会报警,工艺立即到现场通知生产停止投料,通知设备人员调试设备,然后处理设备中的硅片,挑出外观未受影响的硅片继续下传,外观受影响的隔离处理水纹片 用手可以抹去的,检查出料处滚轮的干净程度,一般是出料处风刀中间段滚轮出现污染,需要设备擦拭,如果不严重,流假片也可以将脏东西带走。
更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。