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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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湿法刻蚀太阳能电池硅切割新技术的开发

时间: 2021-11-27
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湿法刻蚀太阳能电池硅切割新技术的开发

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引言

利用金刚石多丝锯切割硅锭,制备了太阳能电池的硅晶片。近年来,由于对超薄硅晶片的需求不断增加,迫切需要采用不产生硅表面损伤的切片方法。本研究提出了一种基于化学蚀刻技术的新型硅切片方法。在该方法中,在含有硝酸和HF的蚀刻溶液中用运行丝摩擦硅锭。研究了切片硅的去除特性和表面质量。随着蚀刻剂化学品浓度的增加,去除率提高,而通过优化蚀刻剂的成分,可以降低切角。扫描电镜观察和拉曼光谱分析结果表明,该方法对硅表面无损伤作用。该方法比传统的金刚石线切割产生了更平滑的硅表面。

太阳能电池用硅晶圆是通过金刚石线锯从硅锭上同时切出多个晶圆的方法制作出来的。 晶圆损坏, 由于这是破损的原因,薄壁晶圆的切出是有限度的1)。另外,从晶圆制作成本削减的观点出发,要求减少成为削边的卡洛斯(切断沟)。因此,通过使用化学作用的新加工方法,进行了硅晶圆的切断技术的开发。在本研究中,尝试了使用能够进行硅的高效蚀刻的氟硝酸的切断技术的开发。由于氟硝酸的硅的蚀刻是各向同性地进行的,因此有必要将蚀刻的进行限定在切片方向上。在蚀刻剂浴中,通过用导线摩擦硅,探讨了促进纵向蚀刻的方法,并评价了其加工特性。

 

实验

      过程中显示了开发的切断实验装置。在固定在加工槽中的硅胶的上面供给蚀刻剂,在那里使钢丝和硅胶接触,通过运行进行加工。装置的材质考虑到耐化学性,使用了氯乙烯树脂。另外,钢丝使用了对硝酸氢氟酸具有很强耐腐蚀性的镍铬和不锈钢(SUS316)钢丝。进行了加工速度的钢丝运行速度依赖性的评价。

      如图2所示,与钢丝运行速度的增加成比例地提高了加工速度。这是由于钢丝运行速度的增加同时钢丝和硅之间的摩擦能量增加,由此促进了蚀刻。市售的线锯采用了700m/min左右的钢丝运行速度,本技术也有望通过增加钢丝运行速度进一步提高加工速度。接下来调查了蚀刻剂组成对加工特性的影响。

湿法刻蚀太阳能电池硅切割新技术的开发 

2加工速度的钢丝移动速度依赖性

 湿法刻蚀太阳能电池硅切割新技术的开发

3腐蚀剂组成对加工特性的影响

3中加工硝酸及氢氟酸浓度显示了对速度和切断沟宽度的影响。调查了氟硝酸的氟酸浓度和硝酸浓度各自对加工特性的影响。加工速度随着氟酸浓度和硝酸浓度的增加而提高。另一方面, 沟宽只有在氢氟酸浓度增加的情况下才变大,在硝酸浓度增加的情况下没有看到大的变化。这是因为在硝酸浓度高的条件下,在加工过程中,在切片面上形成了妨碍向切片面方向蚀刻进行的保护膜。使用直径φ160μm和φ100μm的金属丝进行加工时的加工沟的光学显微镜像。无论哪种情况,都可以将沟宽从金属丝的直径控制在10µm左右。根据以上的结果,通过使用硝酸浓度高的蚀刻剂,可以降低沟宽。

为了调查切片引入晶圆表面的损伤, 用拉曼光谱法对切面进行了评价。晶体硅(c―Si)在521cm―1附近作为尖锐的峰被检出。 有报告指出,非晶质(a―Si)在470cm―1附近作为宽峰被检测出来3)。 在利用金刚石线锯的切片面上,检测出了非晶质的峰值。与此相对,在蚀刻援用切片的切片面上,只检测出了晶体硅的峰值。由此,通过开发技术,确认了可以得到没有损伤的切面。接着,通过相移干涉显微镜进行了切片面粗糙度的测定。在利用蚀刻的切片方法中,通过蚀刻形成的图案,确认了切面是粗糙的面。可以认为,这是由于利用氟硝酸对硅进行蚀刻而产生的气泡。有报告称,通过减少氟硝酸中的水量,可以减少气泡的产生因此,在使用用水稀释了硝酸氢氟酸的蚀刻剂、用醋酸稀释了的蚀刻剂、高硝酸浓度的蚀刻剂的情况下,分别测定了切断面的粗糙度,并与金刚石线锯的切断面的粗糙度进行了比较。在用醋酸稀释了蚀刻剂的情况和没有稀释的情况下,成功地降低了切片面的粗糙度。最后,为了评价工具线的耐久性,对加工前后的工具线进行了观察。

7显示了加工前后的工具线的光学显微镜像。在测量加工60分钟后的线的直径时,没有确认直径的减少。

 

 

结果和讨论

      作为太阳能电池用硅的无损伤的新切片方法,开发了利用氟硝酸对硅进行蚀刻的方法。 对其加工特性进行了评价。其结果证实了以下几点:1)通过在蚀刻剂液体中用线材摩擦硅来进行硅的切片加工;(2)通过提高线材运行速度来提高加工速度;(3)通过优化蚀刻剂的组成来进行低槽宽的加工;通过提高蚀刻剂的浓度来提高加工速度;(4)通过使用乙酸或高硝酸浓度的蚀刻剂作为蚀刻剂的稀释剂来改善切片表面的粗糙度;(5)通过应用湿蚀刻剂的硅切片方法来进行无损伤的加工。


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