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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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Cu杂质对Si(110)湿法刻蚀的影响

时间: 2021-10-30
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Cu杂质对Si(110)湿法刻蚀的影响

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引言

      我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作为钉扎剂。随机吸附模型不会导致小丘的形成,因为单一杂质很容易从表面去除。相反,需要一整簇铜原子作为掩模来稳定小丘。因此,我们提出并分析了驱动相关吸附并导致稳定铜团簇的机制。

 

实验

      第一性原理计算我们使用度泛函理论的原子轨道计算了铜在不同表面位置的氢和羟基封端的硅表面上的吸附能。使用PBE梯度校正进行计算。使用平衡校正处理基组叠加误差 。所计算的系统是周期性的二维(2D)硅平板,其两侧以氢或氢原子终止,以饱和悬挂键。铜杂质最初作为阳离子存在于溶液中。然而,铜离子在表面附近被还原,并在中性状态下被吸附。

       动力学模拟蚀刻的模拟基于表面的原子描述和选择要去除的硅原子的K级搜索算法。系统中单个硅原子的去除率由它们的局部邻域决定,即第一和第二相邻硅I 原子在体和表面上的数目。这种四指标分类可以区分和分类模拟中遇到的不同表面结构。

      非均匀吸附(NUA)在我们的模型中,铜在小丘形成中的作用是作为小丘顶点的钉扎剂。金字塔中间小丘具有非常稳定的面,甚至一种杂质就足以使小丘稳定相当长的时间

      相互作用增强吸附:铜杂质之间吸引人的相互作用可能导致NUA。如果两个铜原子 在硅表面上彼此相邻在能量上是有利的,则铜可以聚集,从而形成稳定的掩模,该掩模 稳定生长的小丘的顶点。

      高度增强吸附虽然离子交换树脂能使杂质找到彼此,但NUA效应 也可以通过使杂质更喜欢吸附在小丘的顶部来实现。

      活性增强吸附为了引入一种不像国际能源机构那样完全是地方性的方法 ,也不像HEA那样是全球性的方法,我们实施了行政审批制度。

  

结果和讨论

      梯形小丘的结构1(a)是在实验中看到的梯形小丘的SE M i图像。这些小丘的特征形状在图像中清晰可见:四边形基底近似为菱形,对角线平行于硅(110)表面的对称轴。梯形小丘的假设结构如图1(b)所示。

  Cu杂质对Si(110)湿法刻蚀的影响    

      图1  (a)中实验观察到的硅(110)上的梯形小丘应该理想地由三角形层的叠层组成,如(b)中所示。这一假设结构在模拟中得以实现,如(c)所示(使用国际能源机构)。(d)列出小丘的部分,其相对稳定性决定了结构的演变:(1)底面 ,⑵小平面,⑶小平面边缘和⑷顶点。

      铜吸附速率:一性原理计算表明,铜吸附在硅表面在能量上是有利的, 吸附能与铜能形成的键数近似成正比。由于能量等级,有几个位置吸附是特别有利的。

      为了研究这些特殊位置的钉扎如何影响形态,我们使用理想的吸附速率进行了、一系列计算。如图2,我们系统地检查{A, F, H, 1}所有子集,并为选定的位 点指定高吸附幸,而所有位点的吸附率都非常低。这样,系统中几乎所有可用的铜都将被吸附在所选类型的位置。解吸速率都设置得很低,解吸通过欠蚀刻途径进行,即当相邻的硅被去除时。调整蚀刻条件,使得当允许在所有位点A、F、1 H和I上吸附时,形成小丘

    Cu杂质对Si(110)湿法刻蚀的影响  

      图2 我们介绍了一些重要的带有标记的铜吸附位点。显示了站点A、D、F、H和I的示例。在面板(a)和(b)中,示出了具有两(111)层的结构(上层被遮蔽)。该层的左侧是扭结的一元步骤,右侧是二元步骤。小组(c)和(d)分别显示了一元和二元步骤的侧视图

      根据第一性原理结果估算的比率:为了将我们的KMC模拟与密度泛函理论数据联系起来,我们希望根据第一性原理的结果估算铜的吸附速率。然而,彻底计算所有可能位置的吸附速率太昂贵,我们必须进行简化。这就足够了,因为在前面的部分中,我们表明不需要杂质吸附速率的精确值来定性模拟小丘形成的过程。

       NUA模式对山丘形成的影响:已经表明梯形小丘可以在模拟中形成,我们继续分析形成过程和产生的形态。基于理想吸附速率的模拟,我们知道所实施的NUA方案导致了定性不同的结果。此外,这些方法包括影响形貌的参数。

       国际能源机构:IEA中,就小丘形成而言,决定性参数是相互作用强度。这里,我们使用增强因子fIEA = exp(E/kgT),其中参数E实际上是由于相互作用引起的活化能的降低。(然而,这里E不受实际活化能的限制)

 

结论

      我们已经使用KMC方案模拟了硅(110)的蚀刻,该方案包括可能吸附在表面上并充当钉扎剂的蚀刻剂杂质。在本研究中,我们着重于铜作为钉扎杂质的作用。第一次,梯形小丘的结构分析和其稳定性的现场特定条件导致了它们的模拟。模拟小丘的抽象几何结构与理论分析完全一致,与实验观察到的形貌十分吻合。我们观察到铜的聚集是小丘形成的必要条件。如果发生聚集,由密度泛函理论计算得到的铜在最有利位置的特定吸附足以驱动该机制。第一性原理计算表明铜原子之间存在吸引力。结合这种吸引的蒙特卡罗模拟表明,它确实可以导致所需的铜团簇。除了交互模型,我们还实现并分析了另外两个驱动铜聚集并导致小丘增长的计算方案。本研究表明,有一个适用于(100)和(110)上金字塔形和梯形小丘的小丘稳定性通用模型。


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