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介绍

    随着器件尺寸的迅速缩小和实现极其光滑表面的严格要求，在前端和后端工艺中，使用化学机械抛光(CMP)对各种薄膜进行全局表面平坦化的需求越来越大。在化学机械抛光过程中，抛光垫材料和晶片表面在浆料的存在下紧密接触。在化学机械抛光过程结束时，浆料颗粒仍然留在晶片表面，如果不去除，它们会导致各种类型的缺陷(划痕、腐蚀点等)。这影响了集成电路的功能化。在某些情况下，这些缺陷也可能是由抛光垫和金刚石圆盘修整器引起的。其他常见的污染物包括有机残留物和金属杂质。

作用力

范德华力是粒子粘附到任何基底上的最重要的力之一。这些力是由于原子核周围电子的位置所形成的分子间的瞬时偶极相互作用而产生的。偶极相互作用有三种类型，即永久偶极-永久偶极(基索姆相互作用)、永久偶极-诱导偶极(德拜相互作用)和诱导偶极-诱导偶极相互作用(伦敦力)，它们共同对范德华力做出贡献。范德华力取决于相互作用的粒子、基底和介质的组成、它们之间的分离距离以及粒子和基底的表面粗糙度和几何形状。

化学机械抛光后清洗工艺的类型

      在不同类型的湿法清洗方法中，批量清洗由于其低拥有成本已经使用了很长时间，因为它通常一次处理25个晶片的盒子。湿式批量清洗由几个步骤组成，指定不同的浸没槽，其中包含不同的化学品。该技术包括将晶片依次浸入包含在不同浴槽中的不同清洗溶液中。这种清洗方法允许化学溶液在晶片的两侧均匀接触。此外，使用该技术可以获得对溶液温度的良好控制。

      批量清洗的最后一步是干燥过程，这通常是通过将晶圆置于异丙醇(IPA)-水的高温混合物中来进行的。应该提到的是，在每个化学处理步骤之后，在单独的浸没槽中进行去离子水冲洗过程。

单晶片清洗  略

总结

化学机械抛光后清洗是化学机械抛光后的一个关键步骤，因为它可以有效去除颗粒和其他污染物，从而提高集成电路制造中的器件成品率。本文中描述的研究强调了控制单个晶片(刷洗和兆频超声波清洗)和浸没清洗中工艺变量的重要性，以实现高的PRE，而不会在表面上引起任何缺陷。通过对各种研究的讨论，强调了二氧化硅、钨和铜膜的化学机械抛光后清洗中使用的不同化学制剂和成分在颗粒去除中的作用。后化学机械抛光工艺的发展必须不断进步，以应对化学机械抛光结束时出现的挑战和更严格的表面清洁要求。 

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