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摘要
对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余已经通过各种方法进行了评估。使用这些清洗后获得的结果被报告，并显示与文献中描述的结果一致。最佳清洁是RCA描述的。
介绍
在集成电路制造之前和制造过程中清洗硅片对于器件的性能至关重要。任何清洁过程的目的都是去除污染物并产生一个没有微粒的表面。然而，裸露的硅具有很强的反应性，因此在大多数情况下，清洁后的表面会迅速氧化，并被一层薄氧化膜覆盖。在本文中，“干净”的硅晶片将是已经通过适当的清洗程序并被该过程最后阶段形成的薄氧化物覆盖的晶片。
实验
实验使用的晶片主要为2“<100>CZO.lohmcmn型磷掺杂，然而，其他晶圆在适当的情况下被用于比较目的。对收到的批次进行清理。除氢氟酸外，所使用的化学品均为由BDH提供的阿里星级。为了模拟中间装置处理步骤后的清洗，某些晶片被清洗，然后使用常规炉在1150C的干燥氧中氧化，产生氧化物1OOOA厚，然后进行第二次清洗和表面分析。
结果
从制造商收到的晶片被薄氧化物覆盖，抛光后生长。如果不采用光谱椭圆测量法，该薄膜的厚度很难绝对测量。本研究中测量的厚度结果一致可接受的值约为15a。硅晶片是亲水性的，因为这种天然的氧化物涂层，但在HF（1：50高频在水中）15s蚀刻足以去除这留下的疏水硅。在正常的大气条件下，裸硅表面反应迅速，大约151厚的氧化物薄膜改变。
讨论
这些实验中使用的清洁程序都指在产生“干净”的硅表面 。因此，比较本文中使用的三种清洁剂的相对优点是有用的。硫酸过氧化氢清洁剂，据说在去除有机物和金属方面几乎和RCA配方一样有效，但产品不那么易挥发。在这项研究中，已经发现从晶片表面去除碳是最有效的。虽然在这项研究中没有发现明显的迹象，但是硫酸也有硫沉积的风险,并且混合物被认为具有潜在的危险。
在SPEI清洗中，这是漂洗和甩干之前的最后一步。这提出了几个潜在的问题:（1）对于新的硅晶片，这种高频蚀刻完全去除了存在的天然氧化物，留下了高反应性的裸露硅表面。无论随后实验室环境如何，这种物质都会迅速再氧化。如果HF蚀刻在浴2之前，则氧化膜在溶液中的受控条件下重新形成。（2）很难获得纯度很高的氟化氢，因此，如果在最后的清洗步骤中使用这种试剂，会有残留污染的风险。氟化氢也被怀疑会在阳极氧化过程中留下污染物，形成多孔硅o相比之下，如果如 RCA 最初提出的，在槽2之前进行HF蚀刻，那么如此产生的裸露硅表面暴露于槽2的试剂，因此硅本身中的金属污染物应该比存在氧化膜时更有效地被去除。
此外，如果氟化氢留下任何杂质，那么它们也应该在随后通过槽 2的作用而被去除。
结论
硅片已经使用描述的各种配方进行了清洗，表面质量主要通过xps进行评估。作为这些研究的结果，我们决定使用固相萃取中的RCA清洁剂作为新的和部分的标准加工过的晶片。
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