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摘要
本文提供一种保护涂层，描述了半导体沉积室中使用的保护涂层的方法。在优选实施例中，CVD室设备免受等离子体蚀刻清洗。在氮化硅的CVD之前，腔室设备首先涂上发射率稳定层，如氮化硅。然后这一层被表面氧化。在序列中的不同底物上重复沉积氮化硅后，将腔室清空晶圆，并进行等离子体清洗过程。等离子清洗优选选择氧氮化硅保护涂层。在等离子体清洗过程之后，再应用发射率稳定层氧化，并且可以重新开始多个沉积循环。
介绍
根据本文的一个方面，用于等离子体蚀刻处理的含氧氮硅涂层的半导体反应器。根据本文的另一方面，提供了一种制备晶片支架的方法。该方法包括将晶片支架导入腔室，在晶片室中为晶片支架的氮化硅涂层，并在处理晶片之前氧化晶片支架上的初级氮化硅涂层。在所示的实施例中，基座是碳化硅涂覆石墨缓冲器，反应器配置用于氮化硅沉积。氮化硅的初级涂层由热CVD形成，并且优选地具有a。初级氮化硅涂层包括流动的从由氧、一氧化氮和一氧化二氮组成的组中选择的氧源。氧化优选形成氧化硅约5A和200A之间的氧化硅。
实验
优选实施例的方法虽然优选实施例是在单衬底、水平流动冷链的背景下提出的反应器，应当理解为的某些方面将应用于其他类型的反应器。所示的单通水平流设计使反应物气体能够发生层流，这反过来促进了顺序处理，同时使反应物相互作用和与炭表面相互作用的微小相互作用。如上所述，等离子体蚀刻清洗过程已被发现优先攻击半导体室和组件的各个区域。为了提供针对腔室和不太容易被清洗过程的自由基化学物质攻击的部件的涂层，优选实施例提供了保护涂层。本文会详细所述提供了氧氮硅涂层和使用这种涂层的方法。
总结
本文讲述了一种制备用于沉积的基板支架的方法，在化学气相分解室中提供底板支架和在基板支架的碳化硅表面涂上氮化硅的一层涂层；以及在基板处理之前在基板支架上氧化主基板涂层。其中在衬底支架上涂覆主涂层还包括化学蒸汽。另一种沉积氮化硅的方法，是在缓冲器上提供氧化的氮化硅涂层，在涂覆的缓冲器上按顺序在多个基质上沉积氮化硅，并在沉积后从缓冲器中等离子体清洗氮化硅。处理半导体基质的方法，是通过在基板上提供发射率稳定涂层并在处理基质之前氧化发射率稳定涂层来制备基底，加载到涂层和氧化的基板上，沉积一层材料到基底和至少部分基质上；沉积后从基质中除去基底，并从基体中等离子体清洗沉积材料。其中发射率稳定涂层还包括氮化硅。在等离子体清洗之前，将基质材料层沉积到基质上，并从受体上去除基质重复5到1000次。其中等离子体在沉积物厚度大于约2um之前进行清洗。
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