![等离子刻蚀工艺 等离子刻蚀工艺](https://0.rc.xiniu.com/g4/M00/07/9D/CgAG0mELluaAXAUuAADHUJ0eaic717.jpg)
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料
摘要
等离子体蚀刻是集成电路制造中相对较新的技术。等离子体是非常复杂的“实体”,这使得它们很难理解和描述。等离子体刻蚀中的物理和化学反应,不同粒子本身之间以及带电粒子和电磁场之间的电相互作用都不是简单的。
介绍
等离子体是一种(部分)电离的气体。在我们处理的等离子体中,自由电子与中性原子/分子碰撞,通过解离过程,它们可以从原子/分子中移除一个电子,这给出了2个电子和1个离子的净结果。根据入射电子的能量,这种碰撞还会产生其他物种,如负离子,因为电子缔合,激发分子,中性原子和离子。等离子体发射的光是由于受激电子返回到它们的基态。由于电子态之间的能量对于每种元素都有很好的定义,每种气体都会发出特定波长的光,这将使我们有可能分析等离子体。
蚀刻机理适用于所有类型的等离子体,不仅仅适用于射频电容耦合等离子体。一般来说,等离子刻蚀是化学刻蚀,不是物理刻蚀。
实验
存在两种类型的感应驱动源:使用圆柱形或使用平面几何形状,多极永磁体的使用并不是必不可少的,但是它们的存在将增加等离子体密度,主要是等离子体的均匀性。向线圈施加射频电压,产生射频电流,在反应器中感应出磁场。生产设备最常见的几何形状是平面线圈,它与多极磁体一起产生高密度和均匀的等离子体。此外,它需要较少的电介质,这使得这种几何形状更容易制造。石英是一种很好的电介质,它不会被蚀刻含氟等离子体。
结果
电子回旋共振等离子体产生的基本机制是交流电场E与电子在恒定磁场b中旋转的频率相匹配的可能性。如果可变电场具有相同的频率f,电子在整个周期内获得能量。因此,ECR仅在低压下工作,通常低于10毫托。
![等离子刻蚀工艺 等离子刻蚀工艺](https://0.rc.xiniu.com/g4/M00/12/1F/CgAG0mE5vBuAAvxJAACMI0vUqn4660.jpg)
![等离子刻蚀工艺 等离子刻蚀工艺](https://0.rc.xiniu.com/g4/M00/12/1F/CgAG0mE5vD6AcMqNAAFJxarTlIw819.jpg)
结论
在未来的几年里,等离子体蚀刻仍将是集成电路和微系统制造中的一项重要技术。对于特定的应用,主要是需要高纵横比的应用,低压等离子体提供了更好的解决方案。电子回旋共振和电感耦合等离子体作为两种选择进行了讨论。当使用大衬底时,电子回旋共振等离子体有严重的局限性,但对于较小的样品,它们可能是一个很好的解决方案。电感耦合等离子体系统,主要是平面线圈,加上衬底支架上的额外偏置,已被证明非常通用,在生产中已经取得了优异的效果。对于低压等离子体,这种设备似乎是最有前途的。
文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁