扫码添加微信，获取更多半导体相关资料
摘要
石墨有望成为基本微机电系统的常用材料为了成为基本的微机电系统材料，石墨必须适应常用的微/纳米加工技术。因此，本文采用直接光刻和刻蚀工艺来研究石墨的微/纳米加工。结果表明，石墨表面适合光刻，可以在石墨表面直接制作不同形状和尺寸的光刻胶图形。此外，在加工纳米高度的石墨结构时，微米高度的光刻胶仍能抵抗等离子体刻蚀。因此，具有光致抗蚀剂图案的石墨通过蚀刻被直接处理，并且纳米量的石墨被蚀刻。此外，高度范围从29.4 nm到30.9 nm的微/纳米级石墨结构被制造成具有大约23♀个侧壁。
介绍
石墨是一种全球丰富的矿物。它是一种具有六边形层状结构晶格的结晶碳，每一层都有石墨烯的单原子厚度。微/纳米加工技术是制造微机电系统器件的主要方法。因此，石墨需要满足微/纳米加工技术的要求，才能成为基本的MEMS材料。目前，碳微机电系统已经被提出和研究，龚等。现已提出了一种将聚酰亚胺与纳米石墨颗粒添加剂混合以提高牺牲层释放速率的方法。
结果和讨论
通过光刻在石墨表面上获得的光致抗蚀剂图案与设计的掩模模板上的图案基本相同。这一发现表明石墨表面可以通过光刻直接加工。因此，可以根据需要设计不同的光刻胶图形，通过光刻可以在石墨表面精确可控地加工各种光刻胶图形和光刻胶微结构。结果表明，约100纳米量的光致抗蚀剂在加工过程中蚀刻约30纳米量的石墨。1.06米厚的光刻胶会导致蚀刻后留下957纳米厚的光刻胶，而更厚的光刻胶会导致留下更多的光刻胶。
结论
石墨可以通过光刻直接加工，也可以根据需要设计不同的掩模图形，还可以在高度均匀的石墨上精确可控地加工各种光刻胶图形，可以通过刻蚀纳米量直接加工具有光刻胶图形的石墨，形成微/纳米级石墨结构。在加工纳米高度的石墨结构时，微米高度的光刻胶可以抵抗等离子体刻蚀。具有光致抗蚀剂图案的石墨已经通过蚀刻被直接处理，并且纳米量的石墨已经被蚀刻。制备了高度范围为29.4纳米-30.9纳米的微米/纳米级石墨结构。此外，更厚的光刻胶会导致留下更多的光刻胶。因此，本研究证明，石墨可以兼容常见的微/纳米加工技术，并可能支持使用石墨制造微机电系统，这对石墨的应用非常重要。
文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁