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摘要
使用高腐蚀性化学品去除晶片表面上的纳米颗粒会导致基板损失。这导致使用提供声空化以去除小颗粒的兆声波。兆声波确实会产生气泡空化，它对晶圆结构施加机械力，剧烈空化如过境空化或微射流会损坏图案结构。本文提出了一种新的兆声波技术，该技术提供了对气泡空化的稳定控制，在不同模式下不会损坏图案。与行业标准的双流体喷嘴清洁技术相比，该技术显示出更好的颗粒性能。这种及时通电气泡振荡模式提供稳定的空化和宽功率窗口。它不同于传统的兆声波，后者在气泡内爆时会产生过境空化和损坏。这种新的兆声波技术可用于清洁 28 纳米及以下的“敏感”结构，而不会损坏任何图案。
关键词： 无损伤清洗、稳定的非暴力空化、颗粒去除、兆声技术、单晶片清洗
简介
随着特征尺寸的缩小和电路结构密度的增加，“致命缺陷”——可能导致芯片在良率测试中失败的最小缺陷尺寸——会减少。从更小、更密集的芯片中去除随机缺陷更加困难，尤其是当缺陷尺寸小于晶圆表面所谓的“边界层”的尺寸并且清洁效率下降到接近于零时。由于边界层的厚度，使用兆声清洗可以将较小的力传递给小颗粒。兆声清洗中小颗粒的去除主要是由于气体空化。声致发光测量进一步支持了这一结论 [3,4]。为了更好地去除颗粒，一项关于用兆声波增强空化活性的研究发现，研究了最佳脉冲关闭时间对气体浓度的依赖性，并确定了溶解气体含量的最佳工艺范围 脉冲高频超声和过饱和，脉冲条件的选择受有效之间的权衡限制超声处理时间和获得足够数量的活性气泡的愿望。
实验性
测试是在配备 TEBO（及时激励气泡振荡）兆声波的 ACM 单晶片清洁工具上进行的。该工艺使用 TEBO 兆声波和功能水（含有溶解 H2 气体的超稀氨水），而不是传统的标准 Clean 1 (SC1) 溶液，以去除细颗粒。图 5 显示了带有 TEBO 兆声波装置的实验装置。
结果与讨论
不同 TEBO 模式在覆盖晶片上的 PRE 测试结果如图 7 所示
图略
结论
本文提出了一种新的兆声波技术，该技术提供了对气泡空化的稳定控制，在不同模式下不会损坏图案。与行业标准流体喷嘴清洁技术相比，该技术显示出更好的颗粒性能。这种 TEBO 模式提供稳定的气穴和宽功率窗口。它不同于传统的兆声波，后者在气泡内爆时会产生过境空化和损坏。这种及时通电的气泡振荡技术可用于清洁 28nm 及以下的“敏感”结构，而不会损坏任何图案。
图 1：简化模型 - 常规兆声波清洗
文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁