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摘要
一种以可控的成本效益和最小的化学消耗来细化硅片的方法。 将晶圆放入工艺室，随后将臭氧气体和HF蒸气送入工艺室，与晶圆的硅表面发生反应。 臭氧和HF蒸气可以按顺序输送，也可以在进入工艺室之前相互混合。
使硅变薄的方法-使用hf和臭氧的晶圆
硅片薄化是半导体器件和微电子机械系统(MEMS)制造中的重要一步。 晶圆变薄是至关重要的，因为它有助于防止晶圆在制造和使用过程中产生热量，也使晶圆更容易处理和更便宜的包装。
发明的简要说明
本发明涉及一种使用臭氧和HF细化硅片的方法。 臭氧氧化晶圆表面的一层或多层硅，HF腐蚀掉氧化硅层，从而使晶圆变薄。
晶圆减薄过程是通过研磨和抛光操作(通常称为“反研磨”)或使用含有强氧化剂(如硝酸(HNO3)和/或氢氟酸(HF))的溶液来完成的。 这两种工艺也经常结合在一起，因为机械磨削操作会在硅表面产生大量的应力。这种应力可以通过化学蚀刻来减轻，化学蚀刻可以去除应力和损坏的层。 这个过程的化学反应一般如下:
4HF + SiO2 -> SiF4 + 2H2O (dissolution of silicon dioxide)
Si + 2HNO3 -> SiO2+ 2NO2 (silicon oxidation)
除硅的形成机制是二氧化硅通过接触氧化剂(硝酸),其次是与氟二氧化硅的反应形成四氟化硅(SiF4),可溶解在水载体或进化作为一种气体。
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