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摘要
虽然听起来可能不像极紫外 (EUV) 光刻那么吸引人，但湿晶圆清洗技术可能比 EUV 更重要，以确保成功的前沿节点、先进的半导体器件制造。这是因为器件可靠性和最终产品良率都与晶圆在经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤时的清洁度直接相关。
晶片上的单个颗粒就足以导致致命的缺陷或偏移，最终导致设备故障。当今最先进的节点设备用于关键应用，例如智能汽车、医疗保健和工业应用。因此，设备可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着对设备进行更严格的分类和装箱，这会影响产量。
不幸的是，许多传统的晶圆清洁方法不仅不足以满足先进的节点技术，而且还会损坏精细结构，如 finFET 和硅通孔。因此，选择正确的湿式晶圆清洗技术不应作为事后的想法，而应作为稳健制造工艺流程的一部分进行仔细考虑。
考虑到这一点，让我们看看湿晶圆清洗技术如何从一门艺术演变为一门科学，以及湿晶圆清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。
有多少清洁步骤？
45 纳米节点技术需要大约 150-200 个独立的清洁工艺步骤。10nm 节点处理使用了该数字的 3 倍，约 800 个清洁工艺步骤，包括：
· 光刻胶条
· 蚀刻后条
· 种植体条
· 一般晶圆清洗
· 用于多重图案化和 EUV 的背面清洁
缩小技术节点需要双重、三重甚至四重图案光刻工艺。这为整个工艺流程增加了数百个额外步骤，包括额外的清洁步骤。虽然 EUV 的引入减少了工艺步骤的数量，但现在甚至可以实现更精细的特征，从而增加了对不会损坏精细结构的先进晶圆表面制备的需求。
湿法晶圆清洗技术的发展 略
湿台方法 略
批量喷涂方法 略
单片湿晶圆清洗 略
文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁