![光刻胶剥离和清洗工艺(2) 光刻胶剥离和清洗工艺(2)](https://0.rc.xiniu.com/g4/M00/07/9D/CgAG0mELluaAXAUuAADHUJ0eaic717.jpg)
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残留物清除
残留物去除通常发生在蚀刻或注入步骤之后。由于光致抗蚀剂是一种含有长链聚合物的有机材料,当没有其他物质存在时,氧化很容易,聚合物从表面的去除也就完成了。然而,当存在来自先前处理的残留物时,必须在晶片被送至下一步骤之前将其去除。残渣去除的难度取决于之前的处理;抗蚀剂的烘焙通过耗尽溶剂使其硬化,紫外(UV)曝光使抗蚀剂交联(参考),蚀刻耗尽抗蚀剂的溶剂并蚀刻抗蚀剂,同时在表面上沉积聚合物(参考),离子注入使抗蚀剂交联并脱氢,在抗蚀剂的外表面附近产生“外壳”。
残余物必须被去除,并且通常与光致抗蚀剂掩模的等离子体剥离相结合。残余物既含有有机(通常含氟)材料,也含有无机(通常含硅)材料。例如,在蚀刻栅极叠层之后,除了保留在蚀刻区域中的不想要的栅极氧化物之外,通常使用一系列SPM和HF来去除蚀刻和剥离残留物。
预氧化清洗
由于在器件制造区域发现的大气污染,有机薄膜薄层存在于晶片表面。有机蒸汽会从聚合物部件中释放出来,例如晶片载体和建筑材料。虽然这些污染水平很低,但是晶片接受的处理对这些低水平很敏感,例如,在热处理之前必须清洁表面。在许多制造领域,SPM清洗步骤是RCA预热清洗过程的一部分。
SPM后冲洗和干燥
粘性SPM很难从晶圆表面去除,需要大量冲洗。表面的吸湿硫残留物会吸收水分并产生颗粒缺陷。有效的冲洗对于防止任何残留化学物质残留在晶片表面至关重要。本技术指南涵盖了冲洗。SPM处理后的干燥取决于晶片表面。对裸露的硅表面进行SPM处理会产生一个薄的氧化物层,称为化学氧化物,具有自限性,通常小于1.0-1.2纳米,不是化学计量的二氧化硅,而是二氧化硅。因此,在SPM处理后,硅表面是亲水的,可以用各种技术干燥,表面张力梯度干燥在本技术指南中讨论。
SPM前和后处理
在SPM工艺之后,可以使用其他化学浴来获得期望的表面调节结果。SPM后的SC-1(表面处理–1,H2SO4:H2O2::H2O)处理通常用作清除有机薄层的清理步骤,或用于颗粒清除功能。SC-1可以用在专用浴池的同一个湿工作台上,也可以用在单独的湿工作台上。本技术指南的RCA清洁部分讨论了SC-1.. 在SPM工艺之前或之后,使用基于HF的配方从侧壁去除含硅聚合物和碳氟聚合物,特别是在栅极蚀刻工艺之后。此外,极低浓度的氟化氢被添加到表面等离子体处理中,以改变晶片表面的润湿特性,从而使化学物质在清洗后有效地从晶片中排出。
化学过滤和再加工
对于H2SO4和H2O2,根据所用过滤器的类型,带有过滤器的化学分配系统可以将颗粒水平降低10-500倍。
从再处理器出来的颗粒数小于6个/毫升(> 0.5米),小于0.007个/毫升(> 1米)。再处理器可用于H2SO4,通常使用蒸馏,结合过滤和离子交换树脂从化学物流中去除污染物。MTS H2SO4再处理器在H2O和残余H2O2被热消除后,使用真空蒸馏塔纯化H2SO4。MTS再处理器可以安装在化学品分配系统中。
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