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硅基电子元件的开发与生产要求材料在所有阶段的化学表征，从原材料，最后是成品。分析工作包括测定两者的体积浓度和空间分布杂质和搀杂剂的厚度和成分的测定沉积在硅等上的薄膜。现代要求的高可靠性半导体产品需要广泛的控制程序。经常必须测定极低浓度的杂质。因此低检测限和污染自由度是该标准的关键要求分析工作。需要和使用许多不同的分析技术。在这几种核分析技术是很重要的。中子(NAA),带电粒子活化分析(CPA)、核反应分析
(NRA)、瞬变伽马活化分析(PGAA)和卢瑟福后向散射光谱学(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析问题是困难的和质量要求高。常是非核的定量校准技术是很困难的。很少，如果有的话，参考资料是公正的分析方法的准确性存在控制。该局与国家标准局合作召开了会议这次顾问会议的目的如下。1. 概述分析化学的要求电子工业和所使用的分析技术。2. 探讨核分析技术在这一领域的作用。3.讨论国际组织质量控制的必要性所用的分析方法。该报告包含三个报告讨论分析的必要性硅电子化学，分析技术的应用和分析标准，并对质量需求的讨论进行总结报告控制。对分析化学的需求硅电子科技。
摘要
对原材料质量控制的分析和缺陷特性的广泛需求讨论了硅器件制造的材料、工艺和环境一般。重点是使核分析化学家熟悉电子工业在痕量表征方面存在的挑战。继续分析方法的发展，新认证的机会被引用标准参考资料，国际合作共同发展接受的分析方法。还提到了可能适合由国际原子能机构发起的合作项目。
介绍
微量元素分析和缺陷表征是传统的科学在微电子工业中很重要。从早期的发展阶段从目前的外延技术发展到器件制造的区域精炼硅生产结构，原材料的特性，过程和完成器件对于超大规模集成(VLSI)技术的发展至关重要。例如，在生产过程中存在大量的质量控制输入需求，严格的质量控制是为了尽量减少化学品加工过程中杂质的负面影响，以及环境中的污染物。需要进行化学和物理分析在制造和制造设备生命周期的所有阶段产品从开发到加速寿命测试以及随后的失效现场操作。在开发阶段，需要对特征进行选择优化材料，并建立规范。以确保选定的商业上可获得的材料坚持既定的指导方针，补充分析在生产前已做好准备。保证原材料及加工适当质量的试剂是事先选择的，防止可预测的，在生产过程中不可接受的产品良率损失。此外,在线监控化学密集型制造过程的敏感步骤潜在的经济灾难性过程中断的实时警告有害杂质和反应副产品的积累硅器件制造的环境控制非常好在本报告中不讨论。需要分析方法重点对原材料、试剂和过程化学品进行质量控制。
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本文还讲述了原材料，1C加工试剂和化学品，其他重要的特性描述需求等问题
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