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 通过使用各向同性和各向异性工艺，可以高精度地创建由硅湿法蚀刻产生的微观结构。各向同性蚀刻速度更快，但可能会在掩模下蚀刻以形成圆形。可以更精确地控制各向异性蚀刻，并且可以产生具有精确尺寸的直边。在每种情况下，控制蚀刻浴温度和蚀刻剂浓度对于成功创建微结构和后续批次的可重复性至关重要。

1.各向同性和各向异性蚀刻有何不同

硅片具有单晶晶格结构，在各个方向重复，但各个方向的密度不同。垂直平面包含与对角平面不同数量的硅原子。这意味着使用某些蚀刻剂的蚀刻在具有更多原子的方向上较慢，而在具有较少原子的方向上进行得更快。

用于各向同性蚀刻的蚀刻剂，如氢氟酸，在所有方向上以相同的速度蚀刻，与硅原子密度无关。对于用于各向异性蚀刻的蚀刻剂，例如氢氧化钾 (KOH)，蚀刻速度取决于晶格平面中硅原子的数量，因此取决于不同平面的方向。

各向异性蚀刻速度的差异允许更好地控制蚀刻到硅晶片中的形状。通过硅晶片的相应取向，可以定时蚀刻以产生直边或成角度的边和尖角。可以减少掩模下的蚀刻。

2.如何在半导体制造中使用各向同性和各向异性蚀刻

各向同性蚀刻比各向异性蚀刻更难控制，但速度更快。在硅晶片制造的初始阶段，大型特征被蚀刻到硅中。在制造的这个阶段，蚀刻速度对设施吞吐量很重要。各向同性蚀刻用于快速创建这些带有圆形边角的大形状。尽管工艺工程师和操作员对被蚀刻特征的形状的控制较少，但准确的温度和浓度控制仍然很重要，以确保在不同批次加工的晶片上产生的圆形形状相同。

在用各向同性工艺蚀刻大形状后，微结构和金属路径需要更好地控制细节。只要硅晶片的晶格结构正确定向，各向异性蚀刻就提供这种控制。各向异性KOH 蚀刻可靠且易于控制。它可用于创建最终半导体产品所需的精确、直边形状。精确控制温度和蚀刻剂浓度对于各向异性蚀刻甚至更为重要，因为这些工艺参数强烈影响各个方向的蚀刻速度，从而影响蚀刻的最终形状。

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