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摘要
本文简要概述了面临的挑战晶圆清洗技术正面临着先进的silicon技术向非平面器件方向发展结构和半导体改性清洗的需要， 除了硅。 在前一种情况下，关键问题是相关的 用于下一代CMOS栅极结构以及深3D几何图形的垂直表面的清洁和调理MEMS设备这些问题加速的步伐除硅以外的半导体正在被引进主流制造业需要发展特定材料的晶圆清洗技术。 考虑与每个挑战相关的问题。
关键词: III-V化合物FinFET集成电路制造 ，MEMS, MOS栅极堆栈，半导体清洗
介绍
晶片清洗是最常用的加工方法 ，这也是进军高端硅集成电路制造领域。 因此，化学的测试和执行Si的清洗操作是非常重要的。建立良好的和支持多年的广泛研究，以及重要的工业工具基地。因此，硅清洁技术是迄今为止在所有具有实际重要性的半导体中最真实的技术。 第一个完整的，基于科学考虑的清洁配方专门设计来清除Si表面 提出了颗粒、金属和有机污染物在1970年。 从那时起，硅清洁技术就被经历着持续的进化变化。 然而令人惊讶的是，最先进的硅清洁仍大致依靠同样的化学溶液，只是它们的方式不同准备和交付到晶圆，是非常不同的这是最初提议的。 另外，选择曲面传统上由湿式清洁化学物质形成的调节功能。然而，和现在一样先进的是硅清洗方法不能满足各种各样的出现需求半导体技术跨越光谱材料和器件结构在实现方法和化学方面。 两个关键挑战是本文综述。 第一个挑战是关于越来越重要的非平面硅器件，如新一代MOS栅极堆栈，微电子-机械系统(MEMS)器件和纳米线。
应用程序：略
总结
本文讲述了非平面硅基器件，硅以外的半导体等问题。这篇概述的目的是为了证明challenges清洁和表面处理技术是面向的，因为一方面硅技术是非平面的另一方面，硅以外的半导体在一系列领域的发展比以往任何时候都更加积极。
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