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RCA 清洁工艺可去除硅晶片表面的污染物，从而可以进行额外的湿法半导体制造步骤。该过程由两个步骤组成，SC1 步骤去除有机化合物，SC2 步骤去除任何残留的金属残留物或颗粒。专门的 湿式工作台可 确保尽可能彻底地去除污染物和颗粒，并使硅晶片保持清洁。为了实现这一点，该设备小心地冲洗掉污染物并最大限度地减少对晶片的处理。自动化可用于可靠且一致地复制过程参数。华林科纳可以提供标准和定制的专业设备来执行 RCA 清洁过程。
1.RCA Clean SC1 去除大部分晶圆表面污染
SC1 清洁步骤使用化学品溶解杂质，同时不影响下面的硅表面。将晶片放置在含有等量 NH4OH（氢氧化铵）和 H2O2（过氧化氢）的溶液中，溶液为五份去离子水。将溶液加热至约 75 摄氏度，并将晶片在溶液中放置 10 至 15 分钟。有机残留物被溶解并去除颗粒。在晶片上形成一层薄薄的氧化硅，并且有一些金属离子和颗粒污染。
2.RCA Clean SC2 去除金属杂质
对于 SC2，将新清洗的晶片置于含有等量盐酸和过氧化氢和五份去离子水中的浴中。确切的比率可能因应用而异。将水浴加热至约 75 摄氏度，晶片浸泡约 10 分钟。该解决方案专门消除碱残留物、金属氢氧化物和其他金属颗粒。晶圆现在完全干净，没有任何类型的颗粒。
3.晶圆清洗设备必须具备专业功能
我们需要专门的设备来有效地执行 RCA 清洁工艺步骤。必须将所需的化学品以正确的数量输送到清洗槽中，然后，当不再需要这些化学品时，必须将它们中和并安全处置。化学品的浓度、浴温和时间对于随后能够重现所需的清洁性能都很重要。污染物和颗粒必须被冲洗掉并过滤掉。有效清洁的主要特点是晶圆表面上的颗粒数量少，从而降低了制造晶圆的废品率。
华林科纳的湿法设备支持这两个 RCA 清洁步骤。除了从其广泛的湿法设备生产线满足客户需求外，华林科纳还可以为客户定制应用构建系统。华林科纳在湿法工艺和技术领域拥有多年的经验，是领先的半导体设备制造商之一，拥有为 RCA 清洁工艺和其他半导体制造应用提供专业设备的内部专业知识。请加微信：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁或发送电子邮件至xu@hlkncse.com.获取咨询和报价。