1、导电类型conductivity type

   2、n-型半导体  n-type semiconductor
       多数载流子为电子的半导体。

   3、p-型半导体  p-type semiconductor
       多数载流子为空穴的半导体。

   4、载流子  carrier
       固体中一种能够传输电荷的载体，又称荷电载流子。例如，半导体中导电空穴和导电电子。

   5、少数载流子minority carrier
       小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p型半导体中的电子。

   6、杂质浓度impurity concentration
       单位体积内杂质原子的数目。

   7、电阻率（体）resistivity(bulk)
       单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。符号为ρ，单位为Ω﹡cm 。

   8、电阻率允许偏差 allowable resistivity tolerance
       硅片中心或硅锭断面中心的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数来表示。

   9、四探针 four point probe
       测量材料表面层电阻率的一种探针装置。排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。 

   10、寿命 lifetime
       晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命。寿命符号τ，单位为μs 。

   11、晶体 crystal
       在三维空间中由原子、离子、分子或这些粒子集团按同一规律作周期性排列所构成的固体。

   12、孪晶 twinned crystal
       在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。

   13、单晶 single crystal
       不含大角晶界或孪晶界的晶体。

   14、位错 dislocation
       晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种缺陷。

   15、位错密度dislocation density
       单位体积内位错线的总长度（cm/ cm 3）。通常以晶体莫晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示。cm 2。

   16、无位错单晶 zero D Single crystal
       位错密度小于500 cm 2的单晶。

   17、直拉法 vertical pulling method (Czochralski growth) CZ
       沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法。又称切克劳斯基法。

   18、切割 cutting
       把半导体单晶锭切成具有一定晶向和一定厚度的工艺。

   19、腐蚀 etching
       用腐蚀液去除表面玷污、机械加工损伤，控制晶片厚度以及显示晶片表面缺陷形状和分布的工艺。

   20、晶片 slice
       从晶锭切割下片状的晶块。

   21、直径 diameter
       横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。