一、主要生产设备
二、工艺流程简述
工艺说明：
①第一次焊接：焊料使用预成型焊片，不含助焊剂，芯片和DBC在真空状态下行焊接；
②X-ray检测空洞：使用X-ray检测焊接空洞；
③等离子体清洗：使用Ar等离子体对芯片表面进行清洗，以获得清洁表面，增强后续绑线的可靠性；
④铝线键合：对芯片进行铝丝绑线：
⑤第二次焊接：焊料使用预成型焊片，不含助焊剂：铜底板和DBC在真空状态下进行焊接；
⑥涂密封胶和灌注硅凝胶：通过密封胶、外壳、硅胶等将模块密封起来。
IGBT的制造工艺：
IGBT的制程正面和标准BCD的LDMOS没差，只是背面比较难搞：
1) 背面减薄：一般要求6~8mil，这个厚度很难磨了，容易碎片。
2) 背面注入：都磨到6~8mil了，还要打High current P+ implant >E14的dose，很容易碎片的，必须有专门的设备dedicate。甚至第四代有两次Hi-current注入，更是挑战极限了。
3) 背面清洗：这个一般的SEZ就可以。
4) 背面金属化：这个只能用金属蒸发工艺，Ti/Ni/Ag标准工艺。
5) 背面Alloy：主要考虑wafer太薄了，容易翘曲碎片。
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