VDMOS生产工艺

基本结构：

•n+衬底，漏极D

•n-外延层，漂移区

•p阱（又叫p基区或体区）

•n+源区，源极S

•多晶硅栅，栅氧层，栅极G

整个器件的构成：

•前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的

•剖面图

立体图：

1、 原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm，抛光80µm

N+<100>535µm

2、清洗，并且用显微镜检查表面

3、外延生长N-：

ρ=20~30Ω·cm,d=45µm

4、清洗

5、氧化：dox=6500±250Å，800℃-1000℃-800℃

6、一次版

7、腐蚀，去胶，清洗腐蚀：温度25℃

8、P+扩散预扩：R□=80～100Ω/□

•700℃-940℃-700℃

主扩：R□=150～180Ω/□

•800℃-1150℃-800℃

9、氧化

10、光刻：二次版反刻P+区，5000pm

11、腐蚀，(温度25℃)t=8.1s

12、去胶清洗

13、栅氧化

•dox=1000-1100Å

•作C-V检查

•实测dox=1060-1050Å

14、生长多晶硅7000ű200Å

15、 清洗

16、三次版：光刻P-区（多晶硅）三次版留下栅和互连的多晶硅（使多晶硅成为p型）

17、腐蚀多晶硅（P-区），干腐：9'50''

18、漂栅氧，（注意不要过漂，留下50～100Å）（P-区内）

19、硼注入（带胶）

•60Kev1.7×1014/cm2＜15µA

20、正面涂胶（5000pm）

21、背面腐蚀多晶硅（干法）和SiO2

•干腐4'38''漂2'

22、 去胶清洗

23、P-推进

•dox=1000Å800-1150-800℃

23、 漂SiO2,扩磷(N+),同时形成沟道,R□=6～7Ω/□,Xjn=1.1µ,Xjp=5µ,R□poly-Si≤30Ω/□

24、 漂磷硅玻璃（PSiO2）（去离子水HF）

26、氧化950℃

•5'干氧+20'湿氧+5'干氧

•dox=2100Å

28、刻边缘多晶硅（即刻场限制环上的多晶硅）5000pm

•接触环上dox＞1000Å合格

29、 腐蚀（先湿腐多晶硅上的SiO2）6'45'‘

30、去胶清洗3-3-1-2

•炉口烘800℃20'N2

31、光刻孔（源，栅）（刻引线孔）5000pm

32、蒸铝：2.2µm

33、反刻Al5000rpm（刻电极）

34、合金

35、涂聚酰氩胺,氩胺化

36、背面金属化：钒360Å，镍8000Å，金1000Å

37、测试

免责声明：文章来源于网络，不代表本公司观点，如有侵权请联系本网站删除。