一、主要生产设备

二、工艺流程简述

晶体、合成莫桑宝石生产工艺流程

1、粉料研磨：本项目外购的硅粉有的时候粒径较大，为了后续合成，需利用粉料研磨机将其进行研磨。整个研磨过程全部在密闭仓内进行。由于需要研磨的硅粉一般粒径均较大，因此研磨投料过程中无粉尘产生。研磨好后的细硅粉由密闭输送管道送至塑料包装袋内储存备用，在物料输送至塑料包装袋的过程中可能会有少量硅粉散逸。全部为无组织排放。

2、粉料合成：将研磨好的粉料装入 SIC 粉料合成炉配套的石墨堆塌内（每次可投加物料约1公斤）,盖好盖，然后将炉内抽真空至0.5*10-3pa,同时为了进一步防止粉料合成过程中碳粉被氧化，还需通入氧气进行保护。SIC粉料合成炉加热温度约为2000℃，采用电加热，加热时间约20个小时。经粉料合成后的碳粉和硅粉就基本已经成为碳化硅小晶体了，只是晶体粒径较小，完全不能满足客户的需求，还需将小的晶体进一步生长使其成为一块大的碳化硅晶体。该工序污染物主要为粉状物料在使用过程中散逸的少量粉尘。

3、晶体生长：品体生长的方法是在高温和真空条件下，在石墨堆塌中心放入一颗很小的籽晶作为种子，然后在籽晶周围放入粉料合成炉合成的小的碳化硅品体。在这种环境下，小的碳化硅晶体会不断生长变大，从而形成成块的碳化硅品体，尺寸约为2英寸、三英寸，厚20mm左右的圆柱体。品体生长所需温度约为2200度，加热采用电加热，真空度约为0.5*10-pa,同时也需通入氯气进行保护，品体生长所需时间约为100小时。该工序无污染物产生。

4、品体切割：利用切割机将晶块切割成一片一片的晶片或莫桑石，一般切割后的品片尺可约为2英寸或3英寸，厚1mm的品片。该工序有少量边角料产生，产生的边角料一般由企业收集后放入晶体生长炉内继续生产。

5、晶体研磨：将切割好后的晶片利用研磨机进行研磨，研磨采用金刚砂作为磨料，研磨的过程中，需加入水，以降低研磨温度和研磨过程中产生的粉尘。该过程中由于研磨时需不断喷水，因此无粉尘产生，但是有研磨废水产生，产生的研磨废水经企业自建污水处理设施处理后回用。研磨所使用的金刚砂一般循环使用，使用到一定程度时需更换，更换频率约为年次，更换产生的废金刚砂由企业收集后外售，水印

6、清洗

研磨后的晶片表里残留有少量研磨过程中产生的残渣，因此，需用自来水进行清洗该工序有清洗废水产生，清洗废水产生量约为1t/d。清洗后的晶片放入滤框内让其自然干燥。

7、检验

主要检验晶片的电性能和莫桑石的透光率、颜色、光学性能等。该工序有不合格品产生。产生的不合格由厂家收集后外售。

5.3 主要污染工序

1、废气：本项目废气主要为粉料研磨过程中取料和粉状物料使用过程中产生的少量散逸粉尘。

2、废水：本项目废水主要为研磨废水、清洗废水和职工生活污水。

3、固废：本项目固废主要为切割过程中产生的边角料、研磨过程中产生的废金刚砂、检验过程中产生的不合格品、废水处理设施产生的沉渣和职工生活垃圾等。

4、噪声：本项目噪声主要为设备生产运行过程中产生的机械噪声。

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