湿刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。(1) 特点：适应性强，表面均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。(2) 缺点：图形刻蚀保真想过不理想，刻蚀图形的最小线难以掌控。(3) 植入广告！！该公司在这湿蚀刻方面比较优越！！！！！苏州华林科纳，成立于2008年3月，总投资4500万元；目前已形成湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品； 广泛应用于大规模集成电路电力电子器件、光电子器件、MEMS和太阳能电池等领域。 干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。(1) 特点：能实现各向异性刻蚀，从而保证细小图形转移后的保真性。(2) 缺点：造价高。 从所产生通道截面形状分类，刻蚀又可分为两类：各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。(1) 各向同性刻蚀：刻蚀剂从基片表面向下腐蚀的速率与在其他各方向大致相同，这种刻蚀成为各向同性刻蚀。例如含氢氟酸的溶液刻蚀玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向异性刻蚀：刻蚀剂在某一方向的刻蚀速率远大于其他方向时，就是各向异性刻蚀。例如用氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属的氢氧化物或季铵盐刻蚀硅片时是各向异性的更多的半导体材料工艺设备相关资讯可以关注华...
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黑硅作为兴起的一种新型硅材料,以其在可见光与近红外波段有极高的光吸收率，使其对光线十分敏感 ,它的光敏感度可以达到传统硅材料的 100 ～ 500 倍。在正常情况下 ,一个光子只能产生一个电子 ,而在黑硅这种材料中 ,由于它具备光电导增益效果,可以由一个光子产生多个电子, 从而使电流增大200 ～ 300 倍 ,使其在微光探测方面的性能较一般材料有着飞跃般的进步 ,并且黑硅的制造工艺可以较容易地嵌入到目前的半导体工艺中, 使其在照相机 、夜视仪等光电探测方面有着广阔的应用前景 。 目前国际上其通用的制备方式主要有两种 :飞秒激光器刻蚀和深反应离子刻蚀(DRIE)。其中 ,飞秒激光器刻蚀是SF6 环境下, 利用飞秒激光器产生的超短脉冲激光对硅片表面进行辐照,其激光脉冲的高能在与硅片表面作用的同时, 在表面附近积聚大量能量 , 能瞬间使背景气体SF6 分解出游离的 F-离子, 并与表面汽化的 Si 原子生成易挥发的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不断被刻蚀 ,最终形成准规则排列的微米量级尖锥结构 。这样改造后的硅表面具有极高的光吸收率 , 而反应离子刻蚀(RIE)的原理是利用一定压强下的刻蚀气体在高频电场的作用下 ,通过气体辉光发电产生等离子体(其中包含了大量的分子游离基团), 通过电场加速活性基团对被刻蚀物体进行离子轰击和化学反应 ,生成挥发性气体, 反应产物在低压真...
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—华林科纳 网络部离子注入出现：随着集成电路集成度的提高，对期间源漏结深的要求，切传统的扩散已无法景尊控制杂质的分布形式以及浓度了。离子束射到固体材料以后，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，这一现象就叫做离子注入。离子束的用途：掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化等，不同的用途需要不同的离子量。 离子注入系统： 离子注入的特点：（1） 可以独立控制杂质分布和杂质浓度（2） 各向异性掺杂（3） 容易获得高浓度掺杂 离子注入与扩散的比较 离子注入的优缺点:（1） 优点：可控性好，注入温度低，工艺灵活，可以获得任意的掺杂浓度分布，结面比较平坦，均匀性和重复性好，扩大了杂质的选择范围。（2） 缺点：离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷，难以获得很深的结深，离子注入的生产效率比扩散低系统复杂安昂贵。更多的半导体湿法腐蚀刻蚀清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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一、芯片清洗用超纯水设备优点 1、无需酸碱再生：在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生，而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。 2、连续、简单的操作：在混床中由于每次再生和水质量的变化，使操作过程变得复杂，而EDI的产水过程是稳定的连续的，产水水质是恒定的，没有复杂的操作程序，操作大大简便化。 3、降低了安装的要求：EDI系统与相当处理水量的混床相比，有较不的体积，它采用积木式结构，可依据场地的高度和灵活的构造。模块化的设计，使EDI在生产工作时能方便维护。 二、芯片清洗用超纯水设备的工艺流程 1、采用离子交换方式，其流程如下： 原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点。 2、采用两级反渗透方式，其流程如下： 原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→第一级反渗透 →PH调节→中间水箱→第二级反渗透(反渗透膜表面带正电荷)→纯化水箱→纯水泵→微孔过滤器→用水点。...
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碳化硅磨料所具有的特性（硬度高、抗压强度高、耐磨性好），使碳化硅磨具在磨削加工中成为磨削硬脆材料及硬质合金的理想工具，不但效率高、精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用寿命长，同时还可改善劳动条件。因此广泛用于普通磨具难于加工的低铁含量的金属及非金属硬脆材料，如硬质合金、高铝瓷、光学玻璃、玛瑙宝石、半导体材料、石材等。 碳化硅的分类：（黑碳化硅、绿碳化硅）含量越高纯度越高、物理性能越好。含量在98%——特级品含量在95%-98%——一级品含量在80%-94%——二级品含量在70%左右——三级品 主要杂质有：游离硅（F.Si）一部分溶解在碳化硅晶体，一部分与其它金属杂质（铁、铝、钙）呈金属状态存在。游离二氧化硅（F.SiO2）通常存在于晶体表面，大都是由于冶炼碳化硅电阻炉冷却过程中，碳化硅氧化而形成。 碳化硅生产工艺：原料破碎配料&混料：采用锤式破碎机对石油焦破碎到工艺要求的粒径。按照规定配方称量配料并混匀，采用混凝土搅拌机对石油焦和石英砂混料作业。电炉准备：把上次用过的炉重新修整、整理,以再次投入使用。作业内容包括洁理炉底料,修整电极,清理炉墙并修补,去装力、1挡, 检查、排除炉的其他缺陷。装炉：按照规定的炉料类别、部位、尺寸往炉内装填反应料、保温料、炉芯材料,并砌筑具有保温和盛料作用的熔炼炉侧墙送电冶...
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湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。 随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。 湿法刻蚀的设备目前主要有槽式刻蚀机和单片刻蚀机两种,槽式刻蚀机采用浸没式处理,刻蚀反应时硅片完全浸没在药液槽中,表面较均匀,所以其刻蚀均匀性也较好。 单片刻蚀机采取喷洒式工艺,由于硅片表面的药液层厚度较难控制,所以其刻蚀均匀性相对较差。研究发现,低刻蚀率化学药液的均匀性比高刻蚀率药液好,原因是刻蚀率低的药液反应剧烈程度小,所以容易得到较均匀的表面.在影响湿法刻蚀均匀性的关键因素方面,对于槽式刻蚀机,硅片进出药液槽的时间以及硅片从药液槽到纯水槽的传送速度很关键；对于单片式刻蚀机,硅片的自转转速和喷洒头的运动速度对刻蚀率均匀性影响很大。去离子水清洗方面,加入喷淋和快速排水功能有助于防止二次蚀刻,从而达到提高刻蚀均匀性的目的。&...
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刻蚀设备在太阳能晶硅电池刻蚀工艺中的应用——华林科纳CSE在晶体硅太阳能电池的制备过程中，边缘刻蚀作为生产工艺的重要一环，其质量的好坏直接影响着太阳能电池片质量的好坏。当前，电池片的刻蚀主要采用的工艺有：等离子体刻蚀、化学腐蚀刻蚀和利用激光划线刻蚀。1 工艺及设备原理等离子体和激光边缘刻蚀在整个晶体硅太阳能电池片的生产工艺流程中的位置如图 1 所示，等离子体刻蚀一般处于扩散工艺之后，而激光边缘刻蚀处于烧结工艺后面。传统的等离子体刻蚀设备主要是采用 ICP技术，配备 RF 电源组成的反应系统及干式真空泵排气系统等[2]，其设备原理如图 2 所示，工作时先将硅片“叠硬币”式装入刻蚀夹具，然后放入反应室中，硅片在全氟化物（PFC）活性等离子混合气体中旋转，氟离子与电池片侧面的硅原子反应，以去除暴露在边缘的材料（pn 结），达到正背面绝缘目的，同时产生氟化硅气体，然后通过废气系统排出。激光精密微细加工技术随着自动化程度的提高和激光器类型的发展应用越来越成熟，激光技术已越来越广泛地使用到太阳能电池的埋栅刻槽、打孔、划片等工艺中。在太阳能硅片电池划片工艺的应用中使用激光器的选型此前已做了很多试验工作，Schoonderbeek [3] 对单晶硅激光划线进行了综合分析，对红外（1 060～1 070 nm）、绿色（532 nm）和紫外（355 nm）激光照射（纳秒脉冲宽度）前后的表面载流子寿命进...
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华林科纳砷化镓生产工艺-砷化镓清洗设备砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构， 晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带 宽度1.4电子伏。 砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓 可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上 的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、 红外探测器、γ光子探测器等。 由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在 制作微波器件和高速数字电路方面得到重要 应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、 高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强 等优点。 砷化镓备料——对坩埚及备件的处理：1将石英件和PBN坩埚放入煅烧炉中煅烧 目的是除去坩埚表面的杂质；2将石英件和PBN坩埚送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在坩埚上的金属离子；3将石英件和PBN坩埚用纯水清洗 目的是洗去酸液；4将石英件和PBN坩埚用超声波清洗 目的是除去剩余的小颗粒杂质 将石英件和PBN坩埚烘干。目的是除去水分；5将石英件和PBN坩埚送入装料间备用。砷化镓备料——对籽晶、多晶的处理：1用砂纸对籽晶和多晶进行打磨2将籽晶和多晶送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在籽晶和多晶的金属离子3将籽晶和多晶送入清洗间用纯水进行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗，将籽晶和多晶送入烘干箱内烘干5将籽晶和多晶送入装料间备用将籽晶和多晶送入装料间备用：A...
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。以后为华林科纳半导体设备技术的工程师浅谈在半导体湿法腐蚀清洗过程中遇到的清洗注意事项：1、硫酸双氧水去胶 说明：去除光刻胶 配比：H2SO4：H2O2=3：1 温度：140℃ 流程：1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅 说明：HF酸漂去二氧化硅 配比：HF：H2O=1：10 温度：室温 流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干 3、氮化硅...
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半导体蓝宝石晶片清洗介绍--华林科纳CSE清洗环境 % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整个蓝宝石的加工环境对最终蓝宝石晶片的表面质量有很大的影响,对开盒即用的蓝宝石晶片,通常抛光、清洗需要在100级以下的净化室中进行,最后的净化和封装需要在10级的净化台中进行。同时操作人员需要着防尘服,人员进入净化室要经过风淋处理。清洗工艺 ( b$ Y, O$ M) w, r针对开盒即用蓝宝石晶片的表面质量要求, 根据上述的净化原理, 对切割、磨削、研磨、抛光等不同工序的晶片清洗工艺进行了优化, 由于抛光后的清洗是最复杂的清洗, 也是要求最高的最后一道净化工序, 清洗后就封装, 交用户进行GaN 外延生长。所以这里详细分析抛光后蓝宝石晶片的清洗方法, 抛光后的蓝宝石晶片的具体清洗工艺和清洗剂的配方如下: a 抛光后的蓝宝石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆声波清洗15分钟； b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分钟； c 用去离子水流清洗2分钟； ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2号液（该清洗剂各组分的体积比是1:4:20）中，兆声波清洗10分钟； e 用去离子水流清洗2分钟； f 擦蓝宝石晶片（可用擦片机）； g 在90℃-95℃的1号液（该...
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