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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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1.1宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外,其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍,因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC,它的热导率和击穿电场都不高,因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始,化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。1.2主要的宽禁带半导体材料近年来,发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些,碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示:如上图所示,SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs,相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓,宽禁带半导体的最高工作温度要...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种,是化学清洗在半导体制造行业中的应用,是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形,有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀,这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。从半导体制造业一开始,湿法刻蚀就与硅片制造联系在一起。虽然湿法刻蚀已经逐步开始被干法刻蚀所取代,但它在漂去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀应用等方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比,湿法刻蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。1 湿法刻蚀及其应用1.1湿法刻蚀湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解,然后转成可溶的化合物达到去除的目的。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀,等离子刻蚀等。湿法刻蚀这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应,因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。1.2 湿法刻蚀的过程(1)反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面;(2)反应物与被刻蚀材料反应;(3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中,随溶液被排出。在上述三步反应中,进行速度最慢的就是控制刻蚀速率的步骤,也就是说,该步骤的进行速率就是反应速率...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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背景技术滤光片可以用来选取所需要辐射的波段,从而广泛应用于相机等光学仪器。滤光片在组装时,需要使用UV胶将滤光片粘在镜座上。操作时,先在滤光片表面点胶,胶水固化后即可将滤光片固定至镜座。然而,由于胶水在镜片的表面扩散较快,胶水在固化前会溢出到滤光片的有效区域,从而影响成像质量。基于此,有必要提供一种可防止滤光片溢胶的滤光片表面处理方法。一种滤光片表面处理方法,包括以下步骤:将滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡;使用甩干机甩干所述滤光片,其中,所述增稠剂选自OES液体增稠剂、瓜胶、阿拉伯胶及聚丙烯酸钠中的至少一种,所述无机盐选自氯化钠、氯化钾、氯化镁及氯化钙中的至少一种。在其中一个实施例中,所述清洗液中所述增稠剂的质量浓度为30mg/L~500mg/L,所述无机盐的质量浓度为10mg/L~100mg/L。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有表面活性剂。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。在其中一个实施例中,所述阴离子表面活性剂为烷基磺酸钠或脂肪醇硫硫酸纳。在其中一个实施例中,所述清洗液由含有增稠剂和无机盐的洗洁精与水混合形成,其中,所述水与所述洗洁精的体积比为1000:1.5~1000:1。在其中一个实施例中,所述甩干机的转速为35转/秒~50转/秒。在其中一个实施例中,所述滤光片表面处理方法还包括步骤:在将滤光片放入有增稠剂和无机盐的...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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随着集成电路器件的纳米化、高密度化、高集成度及多层金属互连的进步,半导体技术节点越来越先进,对实际制造的多个关键环节也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。据2019年1月28日报道,台积电南科14厂发生一起不合格原料污染事故,预估损失上万片晶圆,受到影响的主要是16/12nm工艺。NVIDIA的GPU芯片、海思、联发科的手机芯片以及一些ARM服务器处理器都使用了这一工艺,这也是台积电的主要营收来源之一。台积电发生的污染源已被确认,分别为前段刻蚀的铁离子污染和光刻胶原材料污染。前段晶体管受到污染可能会导致器件发生不正常的漏电,进而影响产品的良率、电学性能和可靠性。2019年2月15日,台积电坦承,受到南科14厂污染事件影响,本季营收将减少约5.5亿美元。受到影响的客户包括辉达、联发科、海思和赛灵思等重量级客户,其中辉达的投片量超过上万片。考虑到此次事故涉及的是相对先进的16/12nm工艺,加上受到影响的股价大跌,台积电的实际损失有可能超过了40亿美元。如果再算上事故造成的停机以及产能和交付上的损失,则后果将更加惨重。 这一事件非常强烈地传递了这样一个信号,随着集成电路特征尺寸越来越小,半导体器件对生产工艺过程中的颗粒、有机残留物、杂质等污染物及湿法清洗的去除能力、缺陷控制、关键尺寸调控等的...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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红外截止滤光片是一种允许可见光(400nm-700nm)透过,而截止或反射近红外光(700nm-1100nm)的光学滤光片,广泛应用于数码相机、手机摄像头、电脑摄像头等数码成像领域,在摄像镜头和CCD/CMOS图像传感器之间加上红外截止滤光片,能滤去通过摄相镜头的高频段光波,只让一定范围内的低频光波通过,从而有效地滤除红外光波,消除其对CCD/CMOS成像的干扰,提高成像的分辨率和色彩还原性,使图像清晰且稳定。传统的红外截止滤光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的红外截止膜,利用多层膜的干涉实现截止红外光、透过可见光的功能。但这种红外截止膜只考虑到可见光在垂直入射时的透过效果,而忽视了大角度入射时的透过率,并且在大角度入射时传统红外截止膜的波长偏移会导致红光部分的严重损失,成像质量严重下降。另一种是蓝玻璃红外截止滤光片,通过在蓝玻璃表面镀制红外截止膜来达到截止红外波的效果。这种蓝玻璃红外截止滤光片虽然解决了斜角度入射时光谱偏移的问题,但它从红光处便开始吸收光波一直延伸到红外光,造成部分可见的红光被过滤,红光的损失会造成色彩还原性的降低,从而影响相机的成像质量。而且蓝玻璃本身原材料成本高,目前还不利于在低端产品上大量普及。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述问题,而提供一种色彩还原度高、成像效果好、成本低廉的红外截止滤光片。本实用新型的技术方案是...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶,后者称负性光刻胶),使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺:利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。基本步骤1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙(PEB)6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查准分子光刻技术准分子光刻技...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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典型光电行业用超纯水设备工艺光电行业用超纯水设备采用PLC+触摸屏控制,全套系统自动化程度高,系统稳定性高。大大节省人力成本和维护成本,水利用率高,运行可靠,经济合理。使设备与其它同类产品相比较,具有更高的性价比和设备可靠性。典型光电行业用超纯水设备工艺  1、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→粗混合床→精混合床→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(传统工艺)。  2、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯化水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(最新工艺)。  3、预处理→一级反渗透→加药机(PH调节)→中间水箱→第二级反渗透(正电荷反渗膜)→纯水箱→纯水泵→EDI装置→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥17MΩ.CM)(最新工艺)。  4、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(最新工艺)。  5、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→纯水泵→粗混合床→精混合床→紫外线杀菌器→精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)。 光电行业用超纯水对水质的要求新兴的光电材料生产、加工、清洗:LCD液晶显示屏、PDP等离子显示屏、高品质灯管显像管、微...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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(一)什么是薄膜面板薄膜面板是在PET、PC、PVC等弹性聚酯薄膜材料上,运用丝印技术把图形、文字、标识集于一体并配以不同材质的双面胶制作而成的具有一定功能字用于家用电器、通讯设备、仪器仪表、工业控制等领域。在业界,我们把薄膜面板通称为薄膜开关面板,在不同的行业中,薄膜开关面板有不同的叫法,比较常见的有以下几种:1)薄膜开关2)薄膜轻触键盘3)盘膜4)面膜5)塑贴6)按键开关7)面贴8)触摸开关等。薄膜面板的印刷工艺要分为正面和反面印刷,分别应用于不同材质和类型的薄膜面板上。大致可以分为平面类和压鼓类。平面类薄膜面板是最简单的面板类型,主要是用不同颜色的文字、线条、色块对各个功能部位加以指示或加以区分,用户可以根据自身的需要来选择不同的薄膜材料及双面胶。压鼓类薄膜面板是在平面型薄膜面板的基础上新开发出的一种较为美观而且实用的面板。它的制作流程是,是在普通面板的基础上,通过一种压制模具,将面板经过热压后使按键部位微微凸起形成立体按键。这种立体键不仅能准确地给定键体的范围,提高辨认速度,使操作者的触觉比较敏感,同时还增进了产品外观的装饰效果。(二)制作薄膜面板的要求面板薄膜是将彩色油墨丝印至透明高分子聚合物背面,一旦丝印完成并切割成形,此层就成为彩色面膜层。面膜层为薄膜开关的组成部分,它能清楚地显示开关的功能、显示颜色、面膜类型以及开关的操作位置,它还能起保护作用。作为薄膜开关的面板,...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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薄膜面板各部分组成材质什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层薄膜面板是在PVC、PC、PET等软性塑胶材料丝印上既定的图形、文字说明等并配以不同材质的双面胶制作而成的用于起标识或保护作用的塑胶制品。薄膜面板采用不同的材料,决定了它的价格与性能,采用丝印工艺制作出来的薄膜面板,最大的特点在于:1,字清晰直观的图形和文字,并能适应不同的平面和弯曲平面。2,不同材料的选择,可使PVC、PC、PET等材料。3,薄膜面板具有:防水、防变形、防污染、防高温、粘性极强等特点。一、面板层面板层一般在低于0.25MM的PET、PC等无色透光片材丝印上精美图案和文字制作而成,因面板层最主要的作用在于起标识和按键作用,所以选用材料必须具有高透明度、高油墨附着力、高弹性、防折性等特点。二、垫胶层垫胶层最主要的作用是将面板层与电路层紧密相连,以达到密封和连接的效果,此层一般要求厚度在0.02---0.05MM之间,具有高强的粘性和防老化性;在生产中,一般选用专用的薄膜开关双面胶,有些薄膜开关要求能防水防高温,因此垫胶层也必须根据需要而使用不同性质的材料。三、控制电路上层和下层此...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。一、晶圆制造在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制造过程的所需要的设备和材料。晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。二、封装传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。三、半导体工艺解析半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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