一、用料铜编织线1050mm1根，950mm1根；铜接线端子200A2个；助焊剂，焊条；二、工具专用焊锡锅1只；专用钳子1把；专用卡具1对；螺丝刀，锥子，锉刀等三、制作方法将铜编织线一端夹在专用卡具里，尽量让铜编织线与夹具持平，或稍高出夹具一些。然后将螺丝穿过卡具盖板，再穿过铜编织线，拧紧螺丝，让铜编织线在夹具里厚度一致。另一端用铜接线端子将铜编织线包住，然后用专用钳子将接线端子夹紧，将铜编织线固定在铜端子里后用手锤将铜端子砸平即可。四、焊锡加温将焊锡条放入焊锡锅，通电加热，当焊锡条溶化后，再加热20-30分钟，表面起氧化反应即可。用一铁片将表面的氧化层刮掉，这时将铜编织线两端分别浸泡在助焊剂中2-3秒，取出后垂直放入锡锅内，放入深度与专用夹具平行即可。另一端与接线端子全部进入锡锅中为止，放置2-4秒后即可。五、电极头制作待铜编织线冷却后，将多余的焊锡及铜线去掉，将专用夹具去掉后将这部分进行加工处理，如图所示：料厚=4mm 六、 将制作好的电极套上18的腊管，用绝缘胶布将两端的腊管头部与端子根部包住，另一端与加工部位的根部包住，即完成。免责声明：文章来源于网络，不代表本公司观点，如有侵权请联系本网站删除。
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蓝宝石晶体结构图: 蓝宝石切面图晶体结构上视图蓝宝石（Al2O3)特性: 蓝宝石晶体生长过程: 蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成。晶体生长方法: 晶体生长方法: 泡生法示意图 水平传动法示意图 提拉法示意图 热交换法示意图 熔焰法示意图 导模法示意图 导向温梯法示意图 微提拉旋转泡生法示意图1-冷凝水杆;2-加热器;3-籽晶夹;4-热交换器顶部；5-坩锅;6-晶体;7-固/液界面;8-熔体;9-支撑杆;10-热屏蔽系统蓝宝石晶棒加工制作工艺流程: 蓝宝石晶片加工制作工艺流程: 蓝宝石晶棒加工制作工艺流程图片: 免责声明：文章来源于网络，不代表本公司观点，如有侵权请联系本网站删除。
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晶圆划片机 晶圆划片机，包括机体、导轨、支撑座、晶圆片、滑轨、主轴、划刀，导轨安装在机体内，支撑座安装在导轨上，晶圆片安装在支撑座上，滑轨安装在机体的内部，主轴安装在滑轨的底部，划刀安装在主轴的端部，所述支撑座上安装有磁环，所述支撑座内安装有位于磁环内圈处的卡套，所述卡套的内部填充有胶板，所述胶板的顶部与晶圆片的底部粘接，所述主轴的外圈处固定连接有磁杆，所述磁杆的端部固定连接有第一磁圈。支撑座的顶部安装有支撑杆，支撑杆的外部滑动套装有滑动套，滑动套的外侧螺纹连接有螺栓，螺栓的端部贯穿并延伸至滑动套的内部，滑动套的侧面固定连接有支撑块，支撑块的端部固定连接有定位环。定位环的内部填充有粘接环，定位环的直径大于晶圆片的直径，粘接环与晶圆片为轴向滑动连接。第一磁圈的外圈处固定连接有磁棒，所述磁棒的端部固定连接有第二磁圈，所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈的磁极均为相同磁极，所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈与磁环为同极相斥状态。胶板的材质为工业级橡皮泥材质，所述粘接环的材质为粘性橡胶圈，所述粘接环上开设有若干个通孔，所述粘接环上通孔的形状与晶圆片的形状相适配。1、该晶圆划片机，通过卡套与胶板之间的配合使用，使得晶圆在切割过程中，底部受到重力与磁力相斥的力度直接陷进胶板的内部，通过胶板的柔性设计，使得晶圆在切割时，底部直接被胶板包裹，同时通过胶板将晶圆固定在支撑座上，无需另外采用固...
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化学机械抛光设备及其操作方法 图1 图2A 图2B 图3 图4 图5A 图5B 图6图1是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图2A是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图2B是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意横截面图。图3是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图4是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图5A及5B是根据一些实施例的图4中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图6是绘示根据一些实施例的操作CMP设备的方法的示意流程图。图1是绘示根据一些实施例的CMP设备100的示意图。如图1中所展示，CMP设备100包含压板102、晶片载体104及垫调节器110。抛光垫105安置于压板102上且包含面向晶片载体104及垫调节器110的抛光表面105A。在一些实施例中，压板102可由基座101支撑且可使抛光垫105围绕第一轴线103旋转。晶片载体104包含轴件106及耦合到轴件106的平板107。轴件106经配置以围绕第二轴线113旋转。平板107经配置以固持工件108，例如半导体晶片。在一些实施例中，晶片载体104经配置以向上或向下移动晶片108，使得晶片108可与抛光表面105A接合。在一些实施例中，平板107可通过...
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晶圆减薄机的研发及应用 １硅片自旋转磨削法的特点：（１） 可实现延性域磨削。在加工脆性材料时，当磨削深度小于某一临界值时，可以实现延性域磨削。通过大量试验表明，Ｓｉ材料的脆性一塑性转换临界值约为０．０６ｍ。进给速度厂控制在１０ｍ／ｍｉｎ，承片台转速取２００ｒ／ｍｉｎ，则每转切割深度可达到０．０５ｍ。对于自旋转磨削，由公式（１）可知，对给定的轴向进给速度，如果工作台的转速足够高，就可以实现极微小磨削深度。（２）可实现高效磨削。由公式（１）可知，通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度，可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下，达到较高的材料去除率，适用于大余量磨削。（３）砂轮与硅片的接触长度、接触面积、切入角不变，磨削力恒定，加工状态稳定，可以避免硅片出现中凸和塌边现象。由ｒ上述优点，现在直径２００ｍｍ以上的大尺寸硅片背面磨削（ｂａｃｋｇｒｉｎｄｉｎｇ）大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。２硅片背面磨削的工艺过程：硅片背面磨削一般分为两步：粗磨和精磨。在粗磨阶段，采用粒度４６＃～５００＃的金刚石砂轮，轴向进给速度为１００～５００ｍｍ／ｍｉｎ，磨削深度较大，般为０．５～ｌ１ＴＩＩ＇ｆｌ。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料（加工余量的９０％）。精磨时，加工余量几微米直至十几微米，采用粒度２０００＃～４０００＃的金刚石砂轮，轴向进给速度为０．５～１０ｍｍ...
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硅拋光片全自动湿法清洗设备的研制硅抛光片湿法清洗原理1.1APM(SC-1)：NH4OH/H202/HzOSC-1是碱性溶液，能去除颗粒和部分金属杂质。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。si〇2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快。Si的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而快。当清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值，一般工艺温度为60〜75°C。SC-1溶液浓度一般控制在稀浓度范围内，这样不但可以有效去除颗粒，而且可以防止表面微粗糙度增加。通常，在SC-1的基础上增加兆声系统，由于兆声微水流的加速度作用，可以增加颗粒去除效果，能够去除小于0.2um颗粒。1.2HPM(SC-2)：HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下能去除铁和锌。一般工艺温度为65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时去除表面的金属沾污。一般工艺温度为室温。设备的组成及配置2.1设备的组成设备结构外形如图1所示，硅抛光片全自动湿法清洗设备采用全封闭、模块化结构设计。整机按功...
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高真空化学气相外延炉的研制1.1 材料生长工艺简介Ge的晶格常数TGe=5.657A,Si的晶格常数TSi=5.431A。Si1-xGex体合金的晶格常数和Si1-xGex合金与Si之间格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一种典型的晶格失配异质结构系统,x值越大则晶格失配率越大。当x=1时,即Si和Ge之间的晶格失配率为4.2%。这一特点使Si1-xGex/Si结构的生长有别于晶格匹配材料异质结构的情况,其中必需考虑“临界厚度”以及控制和充分利用由于应力引起能带变化而出现的新的电学与光学特性。由于工艺方面的原因,70年代以前,无论在硅单晶衬底上或在锗单晶衬底上,均未能生长出高质量的Si1-xGex异质结外延层,多半会发生三维岛状生长并出现大量的穿透位错,堆垛层错和裂文[6]。由于近年来外延工艺技术的发展,80年代中期人们开始应用低温高真空化学气相外延技术生长硅外延片[7]。90年代中期用同样的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。应用低温高真空化学气相外延技术来生长锗硅薄层,解决了高温生长外延材料的许多缺点,保证原子级的清洁的生长表面,防止引入不希望的缺陷,实现二维共度生长,防止应变弛豫和三维岛状生长以提高晶格完整性,实现原位掺杂,防止界面互扩散以获...
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高速电镀设备及工艺流程１上料系统这台设备的上料系统采用了半自动上料方式，首先把产品平放到上料台，由台上的推针把其送入上料夹，夹住产品后翻转至与不锈钢传送带同一平面，后与不锈钢传送带一起运动，当上料夹速度与不锈钢传送带速度一致时，把产品送人不锈钢传送带，翻转至初始位置，完成一次上料过程。２工艺工位每个工位都有一个储液罐，经抽液泵把液体打到工艺槽，形成环状循环（工艺槽在储液罐上面，有一定的距离）。这样的设计不但加快了药水浓度的补充，也把工作液中产生的气体及时排走，避免气泡停留在框架表面。从而提高电镀产品质量，保证镀品成品率。２.１工艺檀有液位传感器，在槽内有几段工位具备产品跟踪系统，有了这套跟踪系统能检测哪段工位有无产品掉落。主要工作原理为：产品进入第一个工艺槽时，该处的记数器开始工作，并记录下产品数量；若下一记数器的数据与上一记数器记录的数据不相同，会立到报警（由电脑上读取）。跟踪系统的存在减少了废品率，提高了成品率，还节约了材料和降低成本。２.２储液罐电镀设备每个工艺槽都配一个储液槽，除装药水外，还保证工艺槽内药水液面，保证镀品质量；若液位不够，工艺槽内会出现时有溶液上来，时而无液体，你想，这样的工作液面能生产产品吗，要让储液罐为工艺槽提供稳定的液拉，就必须由储液槽内的高低位传感器进行控制。若液位低于低位传感器，会报警，此时必须添加溶液至规定刻度；若液位高于高位传感器，也会报警，此...
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双真空室结构磁控溅射台的研制１设计原理：本文设计的磁控溅射台使用阴极溅射的方法淀积薄膜，将电压的负极应用于靶材，正极接于基架地，基片装在基片架上，从而在靶材和基片之间形成一个负的电场。在电场中通人工艺气体，在一定的真空条件下，工艺气体原子就会电离出带正电荷的离子和带负电荷的电子，如果工艺气体是氩气，则有：Ａｒ→Ａｒ+＋ｅ-。电场的存在使氩离子加速向阴极移动，自由电子则移向正极。这个过程中，加速电子跟更多的氩原子发生碰撞，电子的动能使得受到碰撞的氩原子发生电离。上述过程持续重复，就能产生巨大数量的氩离子和电子，在靶材和基片之间形成等离子区。等离子区中大量带正电的氩离子飞向靶材，因氩离子具有较大的质量，能量较大，碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉积在基片上。图１显示了本设备的溅射成膜原理。 如果在阴极靶材背面合理地安装一块永久磁铁。磁铁的磁场强迫自由电子作额外的螺旋运动，就可以延长电子的移动路径，产生更高等级的分裂，并使得等离子区具有更好的同质性，能够更好的利用靶材，减少由溅射粒子引起的靶材再沉积的数量，避免弧光放电现象。如果阴极是由非导体材料组成，则轰击靶材的工艺气体离子就不能被传导电子中和，溅射过程就会熄火，所以绝缘靶材或电介质靶材不能使用直流源溅射，而需要采用射频溅射。射频溅射使用射频电源（典型１３．６５ＭＨｚ）来点燃等离子区。在射频溅射的情况下，靶材交替地被带...
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步进扫描光刻机整机集成工艺方案设计分系统集成工艺方案设计：分系统集成工艺方案设计包含布局与接口分析、集成与检测方案规划、集成工具工装需求规划、集成步骤规划等。布局与接口分析：主要是分析分系统在整机中的布局、接口的形式、定位方式等；集成与检测方案规划：主要是分析集成指标，结合布局与接口形式规划集成方案及检测方法，如指标无法直接实现，还需要进行装配尺寸链分解；集成工具工装需求规划：根据集成和检测方案，选择适用的工具/检具，如需要设计专用工装辅助集成或检测的，则需给出工装设计方案及其指标需求；集成步骤规划：制定分系统集成到整机上的集成步骤。步进扫描光刻机集成工艺方案非常复杂，下文将通过几个分系统案例，阐述集成工艺方案的设计过程。调焦调平分系统调焦调平分系统安装在主基板下方，物镜安装在主基板上方，结构布局如图1所示。根据整机测校流程，调焦调平分系统在物镜曝光过程中实时调平调焦，因此，要求调焦调平焦面与像面的垂向集成误差不能超过调焦调平的焦深范围。步进扫描光刻机所选用的调焦调平分系统焦深范围非常小，是微米级别的。由此，调焦调平集成方案规划需解决以下几方面的问题：1、调焦调平焦面和像面都是光学面，相互为基准集成，集成阶段如何去确定这两个光学面的位置； 图1调焦调平分系统机构布局2、指标是微米级别的，常规的测量方法达不到这个级别的测量精度，该选用什么样的测量仪器；3、在线集成空间小，选...
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