扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 高效指间背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，需要提供足够数量的能源供家庭消费。我们认为适当的采用光阱技术的IBC电池即使在厚度不足的情况下也能保持20%的效率。本工作采用光刻和刻蚀技术对晶圆进行深度刻蚀，使晶圆厚度小于20 μm。关键词:IBC太阳能电池，掩模蚀刻，光刻，反应离子蚀刻，TMAH蚀刻介绍 太阳能显示出供应潜力，这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏产业面临的主要挑战以与化石燃料竞争的成本生产足够数量的能源。这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。据报道，太阳能电池的效率在规模上高于20%。商用太阳能电池使用晶体硅材料。这种类型的PV电池是指间背接触太阳能电池。实验 图1所示 (a) SPR正型和(b) SU-8负型光刻胶对紫外线照射的响应 图2 SPR光刻和TMAH工艺流程 结果与讨论 图4 SPR 7.0沉积表面轮廓SU-8光刻胶与反应性离子蚀刻 图10 (a) 40μm和(b) 120μm沉积的表面轮廓文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料介绍 自晶体管效应的发现(1948年)，这些研究主要集中在锗和硅晶体上，特别是因为各种表面现象被发现有不利的影响，用这些材料制成的pn结器件的性能和稳定性。 二氧化硅薄膜对薄膜的表面性质具有稳定作用硅。虽然不只是因为表面原因稳定。 该膜还可用于对杂质的选择性掩蔽扩散，用于在硅中制造pn结。 它们还可以分离金属Electrades来自半导体。 这种金属电极可用于例如连接晶体管、二极管和电阻硅集成电路。 硅体性能 在室温下，纯(本征)硅不含许多流动性载流子:约1·6.1010电子，正电荷数相同。杂质可以掺入，以获得增加电子或洞的数量。可找到合适的供体元素例如P, As, Sb这些元素被替换地建立在硅晶格中，它们的组织能源相对较低。 图1.2能级中有若干供体和受体杂质îndicated的能量硅的间隙(在300°K下为1.1 eV)一种氧化物涂层半导体表面的物理模型 图2.2 氧化物涂层半导体表面的模型 图2.3 一种场效应实验，其中半导体材料薄片的电导 &...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 在未来几代器件中，去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线（ FEOL）后离子注入（源极/漏极、扩展），使用PR来阻断部分 电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线（BEOL）蚀刻中，除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性。介绍 光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等影响。工艺完成后，需要选择性去除光刻胶并清洁表面，确保表面无残留物和颗粒。使用湿化学物质，如热 SPM、有机溶剂或使用干等离子体“ 灰化”，原则上可以去除抗蚀剂。然而，抗蚀剂在干法蚀刻或注入处理期间被化学改性，并且适种改性可以显著降低剥离速率。 图1所示 当pet被光刻阻保护时(不按比例)，选择性结植入到fet的示意图 图2 x.裸硅衬底上KrF抗蚀线的扫描电镜显微图(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蚀变薄，模糊，结痂。 当前的方法 为了达到足够，从而达到可接受的低周期时间，以及良好的残留去除，腐蚀等离子体str...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料导言:薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括用于射频识别系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。除了向堆叠管芯组件的转移之外，垂直系统集成和微机电系统器件中的新概念要求晶片厚度减薄到小于150米。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术，因为其减薄速率高。商业上可获得的研磨系统通常使用两步工艺，首先以非常高的速率(5 m/sec)进行粗研磨，然后以降低的速率进行后续的细研磨工艺。实验性:实验是在SSEC 3300系统上进行的。在蚀刻过程中，有许多工艺参数可以改变。为了这个研究的目的，使用了单一的蚀刻化学物质。温度、流速、分配曲线、旋转速度和室排气是可以通过工艺步骤编程的参数。我们希望关注对工艺影响最大的工具参数，因此选择了温度、旋转速度和流速。所使用的化学物质是氢氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物，并且作为旋蚀刻剂在市场上可以买到。化学物质的再循环使用SSEC的开放式或封闭式收集环技术进行。图1:蚀刻过程中的SSEC收集环和液流分配采用JMP软件进行三因素三水平的Box-Behnken响应面试验设计。测量的响应是蚀刻速率、TTV和表面粗糙度 略结果 略文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明，碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中，颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒，然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。介绍 由于半导体器件正在追求更高水平的 集成度和更高分辨率的模式，ET清洁技术对于重新 移动硅片表面的污染物仍然至关重要。 在1970年提出的RCA清洗工艺作为一种湿式清洗技术在世界各地仍在使用，以去除晶圆表面的污染物。 虽然RCA净化 过程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液对 颗粒的去除效果非常好，但其颗粒去除机理尚不完全清楚。实验 采用五英寸CZ(1,0,0)晶片进行粒子吸附实验。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中从晶圆表面去除。 然后将晶片浸泡在含有颗粒的各种溶液中10分钟，然后冲洗和干燥。 天然氧化物在晶圆表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移动，然后清洗和干燥。结果与讨论 图2所示 pH对Fe2O3离子氧化粒的...
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一、 前言电路板使用铜作为导电材料，制作过程中大多采用先进电镀再蚀刻的方式使电路成型。一般而言，可概分为减成法(subtractive process)及加成法（additive process），前者是以铜箔基板为基材经印刷或压模、曝光、显影等程序在基板上形成一线路图案再将板面上线路部分以外的铜箔蚀刻掉，最终剥除覆盖在线路上的感光性干膜阻剂或油墨，以形成电子线路的方法；而后者则采未压铜膜的基板，以化学沉铜沉积的反反复，在基板上欲形成线路的部分进行铜沉积，以形成导电线路。减成法又可细分为全板镀铜法（pannel plating）及线路镀铜法（pattern plating），另外还有上述两种制造方法折衷改良的局部加成发法（partial additive）。目前电路板制造上还是多以减成法为主。无论哪种制造方式，蚀刻皆是其制造流程中不可或缺的一部分，尤其是减成法最为重要。二、 蚀刻液之分类与说明蚀刻液一般可分为酸性蚀刻液与碱性蚀刻液两类，酸性蚀刻液会攻击以锡或锡铅为主的阻抗液金属阻剂层，对干膜攻击力较低；反之，碱性蚀刻液则会攻击干膜，对金属阻剂的攻击力较低，所以目前酸性及碱性蚀刻液在电路板制程上的选用大致上十分清楚；有干膜的流程，如内层蚀刻走酸性蚀刻，有金属阻剂的制程，如外层蚀刻则走碱性蚀刻。2.1 酸性蚀刻液酸性蚀刻液主要用在内层蚀刻以氯酸钠、氯化铜以及氯化铁为...
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MEMS（Micro Electro mechanical System）即微机电系统，是指采用微机电加工技术按照功能要求在微米量级的芯片上集成机械零件、电子组件和传感器执行组件等而形成的一个独立智能系统。由于单晶石英材料具有压电效应，且具有优良的温度、机械性能、高品质因素等特性，采用单晶石英制作的石英 MEMS 加速度传感器、压力传感器和石英 MEMS 陀螺仪等，具有高精度、高稳定性、高分辨率等特点，在微型惯性导航系统、姿态测量与控制、航空航天、汽车电子、仪器仪表等领域具有广泛应用，其加工工艺和设备制造技术研究对促进产业发展提供技术支持具有十分重要的意义。 1 石英 MEMS 传感器敏感芯片结构石英 MEMS 传感器主要应用于振动惯性器件，是通过振动原理测量运动物体的各种运动参数（包括角速度、角度、线加速度等）的惯性器件。石英 MEMS 振动惯性器件主要包括石英微机械振动陀螺、石英振梁加速度计等，其敏感结构采用石英晶体，基于石英晶体压电效应原理、采用微电子加工工艺，是振动惯性技术与微机械加工技术的有机结合。石英微机械振动陀螺是一种音叉结构的哥氏振动陀螺，是一种 MEMS 角速度传感器。其敏感芯片结构为双端音叉结构，包括驱动音叉、读出音叉及支撑结构。石英微机械振动陀螺工作原理及敏感芯片结构如图 1 所示。驱动音叉被激励以其自然频率左右振动，当石英 MEMS 陀螺绕其垂直轴...
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一、引言化合物半导体材料砷化镓 （GaAs）和磷化铟（InP）是微电子和光电子的基础材料，而砷化镓则是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料，也是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。由于砷化镓具有电子迁移率高（是硅的5~6倍）、禁带宽度大（它为1.43eV，Si为1.1eV）且为直接带隙，容易制成半绝缘材料（电阻率~Ωcm）、本征载流子浓度低、光电特性好。用砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度高，能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料，也是继硅材料之后最重要的微电子材料，它适合于制造高频、高速的器件和电路。此外, GaAs材料还具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性。所以,用该材料制造的器件也具有特殊用途和多样性,其应用已延伸到硅、锗器件所不能达到的领域。即使在1998年世界半导体产业不景气的状况下, GaAs材料器件的销售市场仍然看好[1]。当然, GaAs材料也存在一些不利因素,如:材料熔点蒸气压高、组分难控制、单晶生长速度慢、材料机械强度弱、完整性差及价格昂贵等,这都大大影响了其应用程度。然而, GaAs材料所具有的独特性能及其在军事、民用和产业等领域的广泛用途,都极大地引起各国的高度重视,并投入大量资金进行开发和研究。一． 材料的结构2.1砷化镓的晶体结构砷化镓晶格是由两个面心立方(fcc)的子晶格(格点上分别是砷和镓的两个子...
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1.国内砷化镓材料发展现状目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4-6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（AXT）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电46所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。北京通美是美国AXT独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，2009年销售收入8 000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。中科晶电成立于2006年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2 500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。2009年月产2英寸砷化镓晶片10万片，2010年月产达到15万片。该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。 天津晶明公司成立于2007年，由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资，注册资本1400万元，总投入约5 000...
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论是医学，还是航空航天，抑或是信息科技，在我们能够想到的科技领域中，材料都扮演着极其重要的角色。材料的强度、柔韧度、耐腐蚀性、电子迁移率、比表面积等等各种物理、化学、电学性质，默默影响着最终产品性能的实现或发挥，甚至起着决定胜负的作用。这也是为什么很多科学家在孜孜不倦地寻找更多新型材料，因为新的材料性能，意味着全新的可能，为新技术的实现提供了崭新舞台。德国科学家正在研制一种由镁制成的小型植入物和螺钉，具有足够的机械稳定性，并在人体内的降解程度可控，不会导致人体组织损伤。在骨头破裂的地方，医生通常会用植入物来固定骨头碎片，而选择哪种植入物需要慎重考虑。钛或钢制螺钉和固定板在机械、化学性能上非常稳定，但如果要拆卸就必须再次手术；有机材料植入物，则可能会慢慢溶解，还存在强度不足、溶解物对人体有害等缺点。针对这一难题，德国联邦材料测试研究所利用镁开发出功能表面最佳的合金板和矫形螺钉。这种镁植入物尤其适用于骨骼迅速增长的儿童，生物降解的螺钉不会影响孩子的骨骼生长，可以免去二次手术，降低感染风险并节省成本。 研究人员艾利·布鲁尼克说：“镁合金植入物不仅具有生物相容性，而且在最初的脆弱愈合阶段具有与骨骼相似的机械性能，因此比钛更合适。”想用镁合金...
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