黑硅作为兴起的一种新型硅材料,以其在可见光与近红外波段有极高的光吸收率，使其对光线十分敏感 ,它的光敏感度可以达到传统硅材料的 100 ～ 500 倍。在正常情况下 ,一个光子只能产生一个电子 ,而在黑硅这种材料中 ,由于它具备光电导增益效果,可以由一个光子产生多个电子, 从而使电流增大200 ～ 300 倍 ,使其在微光探测方面的性能较一般材料有着飞跃般的进步 ,并且黑硅的制造工艺可以较容易地嵌入到目前的半导体工艺中, 使其在照相机 、夜视仪等光电探测方面有着广阔的应用前景 。 目前国际上其通用的制备方式主要有两种 :飞秒激光器刻蚀和深反应离子刻蚀(DRIE)。其中 ,飞秒激光器刻蚀是SF6 环境下, 利用飞秒激光器产生的超短脉冲激光对硅片表面进行辐照,其激光脉冲的高能在与硅片表面作用的同时, 在表面附近积聚大量能量 , 能瞬间使背景气体SF6 分解出游离的 F-离子, 并与表面汽化的 Si 原子生成易挥发的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不断被刻蚀 ,最终形成准规则排列的微米量级尖锥结构 。这样改造后的硅表面具有极高的光吸收率 , 而反应离子刻蚀(RIE)的原理是利用一定压强下的刻蚀气体在高频电场的作用下 ,通过气体辉光发电产生等离子体(其中包含了大量的分子游离基团), 通过电场加速活性基团对被刻蚀物体进行离子轰击和化学反应 ,生成挥发性气体, 反应产物在低压真...
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半导体新闻 1、力晶合肥12寸厂6月量产 DRAM缺货或持续至明年力晶董事长黄崇仁出席台湾半导体产业协会会员大会，他表示，目前台湾地区旗下所有12寸厂的产能都满载，还把客人赶走了，因为根本就不够用，而新投资的大陆合肥也就是晶合厂预计6月落成量产，初期月产能规划2万片。市场关心存储器产业的发展情况，黄崇仁引用美光执行长杜肯的说法，这一波存储器的热度将会延续到今年底，如果没有新厂盖出来的话，明年会缺货更严重。黄崇仁说，以他对杜肯的认识，他是非常保守的人，这次在法说会上释出如此乐观的讯息，我也认同他的看法。黄崇仁表示，台湾P1、P2、P3厂的产能全部满载，市场需求强劲，现在还把客人赶走，因为产能实在不够用，而且以现在的设备来生产，是非常有竞争力，未来会考虑慢慢扩产，不过大陆合晶晶合厂不会生产存储器。力晶大举投资的大陆12寸晶合厂正在赶工当中，预计最快6月落成投产，初期月产能规划维持2万片不变，先以导入90纳米，并生产面板驱动芯片、传感等为主，据悉已经有不少厂商开始抢先下单，力晶台湾厂也希望产能全满，所以也会把部分产能转移到晶合厂。力晶台湾P3产能由存储器模组大厂金士顿全吃下，以生产DRAM为主，今年将转进2X纳米制程，月产能维持3万片。至于P1与P2厂生产面板驱动芯片、电源管理芯片、CMOS传感器等等，合计月产能约6~7万片。 2、...
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—华林科纳 网络部离子注入出现：随着集成电路集成度的提高，对期间源漏结深的要求，切传统的扩散已无法景尊控制杂质的分布形式以及浓度了。离子束射到固体材料以后，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，这一现象就叫做离子注入。离子束的用途：掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化等，不同的用途需要不同的离子量。 离子注入系统： 离子注入的特点：（1） 可以独立控制杂质分布和杂质浓度（2） 各向异性掺杂（3） 容易获得高浓度掺杂 离子注入与扩散的比较 离子注入的优缺点:（1） 优点：可控性好，注入温度低，工艺灵活，可以获得任意的掺杂浓度分布，结面比较平坦，均匀性和重复性好，扩大了杂质的选择范围。（2） 缺点：离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷，难以获得很深的结深，离子注入的生产效率比扩散低系统复杂安昂贵。更多的半导体湿法腐蚀刻蚀清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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导读： 法国专利与技术分析公司KnowMade Co.日前发表一份报告，声称七家专利授权公司可能对于经营半导体市场的业者构成威胁。法国专利与技术分析公司KnowMade Co.日前发表一份报告，声称七家专利授权公司（patent licensing companies；PLC）可能对于经营半导体市场的业者构成威胁。这七家公司分别是WiLAN、Acacia Research、Conversant IP Management （原为Mosaid）、Intellectual Ventures、Rambus、Round Rock Research以及Tessera。 KnowMade主要根据2013年以来的专利收购行动与诉讼行为进行评估。根据KnowMade表示，半导体产业具有吸引专利授权公司的特性，预计这些专利授权公司将寻求从半导体产业获取更多的资金。KnowMade并参考了RPX Corp.在2015年三月发表的一份报告中所提到的：“2014年非实施专利事业体（NPE）让营运公司付出了法律费用以及和解或判决等其他有关法律成本等估计约122亿美元。”KnowMade执行长兼共同创办人Nicolas Baron说：“WiLAN可能是半导体公司的主要威胁。” 在2015年期间，WiLAN从英飞凌科技（Infineon Technologies）、奇梦达（Qimonda）和飞思卡尔（...
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一、芯片清洗用超纯水设备优点 1、无需酸碱再生：在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生，而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。 2、连续、简单的操作：在混床中由于每次再生和水质量的变化，使操作过程变得复杂，而EDI的产水过程是稳定的连续的，产水水质是恒定的，没有复杂的操作程序，操作大大简便化。 3、降低了安装的要求：EDI系统与相当处理水量的混床相比，有较不的体积，它采用积木式结构，可依据场地的高度和灵活的构造。模块化的设计，使EDI在生产工作时能方便维护。 二、芯片清洗用超纯水设备的工艺流程 1、采用离子交换方式，其流程如下： 原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点。 2、采用两级反渗透方式，其流程如下： 原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→第一级反渗透 →PH调节→中间水箱→第二级反渗透(反渗透膜表面带正电荷)→纯化水箱→纯水泵→微孔过滤器→用水点。...
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日前，H股光伏“龙头”保利协鑫正式对外宣布，该公司已于美国时间3月31日，成功完成了对美国SunEdison的收购案。而SunEdison曾是全球最领先的清洁能源资产公司之一。早在去年8月份，保利协鑫就曾对外公布，该公司与美国SunEdison各公司签署了协议，保利协鑫将以1.5亿美元的全现金方式收购SunEdison及其附属公司SunEdison Products Singapore、MEMC Pasadena和Solaicx的部分技术和资产。但彼时这项收购还存在较多不确定性，其中包括有无其他出价竞争，以及美国破产法院的裁决、美国司法部反垄断局、联邦贸易委员会、美国外国投资委员，以及中国商务部和新加坡相关部门的审查结果。而今，保利协鑫宣布完成了对美国SunEdison的收购案，则意味着上述障碍已被逐一跨越。完善硅烷流化床产业链值得一提的是，与预案不同，此番保利协鑫并未收购了韩国SMP股权。在业内人士看来，“这是专注于技术收购。例如，其未收购美国及韩国的现有制造工厂和生产线，只是接收美国的技术及研发人员，也不承担韩国项目的债务。”如此一来，保利协鑫收购SunEdison，将获得电子级硅烷流化床颗粒硅技术及资产、第五代CCZ连续直拉单晶技术及资产、包含相关设备及知识产权等“干货”。其中，针对电子级硅烷流化床颗粒硅技术，保利协鑫相关人士认为，“尽管国内晶硅生产企业大都还在采用传统的西门...
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2017
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近日总投资38亿元的中科院微电子产业园、华大北斗、聚利科技等6个项目，集中签约入驻成都芯谷。这是成都市双流区获批国家级临空经济示范区后，首批签约进驻的项目，将极大促进其电子信息产业发展。 “我们将结合成都雄厚的产业基础，主攻北斗导航芯片的研发、设计。”深圳华大北斗科技有限公司总经理孙中亮介绍，此次签约进驻成都芯谷的“华大北斗导航芯片研发及应用产业基地项目”，未来将承担起研发设计第二代北斗导航芯片的重担，为北斗导航系统全面进入商用、民用提供核心基础支撑。 记者了解到，当天集中签约的几个项目，如中科院微电子西南产业园、中电物联低功耗物联网核心通讯设备研发基地项目、聚利科技新一代微波毫米波及太赫兹集成电路项目等，主要涉及芯片设计研发、封装测试、模块生产销售及产业发展基金等核心领域，建成达产后将为新兴电子信息产业链式集群发展注入强劲动能。 集成电路产业被誉为生产“工业粮食”的产业，代表了新兴电子信息产业发展的主导方向，是国家和区域产业竞争、科技竞争、综合实力竞争的制高点。作为成都集成电路产业的重要载体，成都芯谷项目规划占地总面积约20平方公里，按照产城融合的理念，分为先导区、发展区和制造区，重点发展IC设计、IC制造、IC封装测试及IC...
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碳化硅磨料所具有的特性（硬度高、抗压强度高、耐磨性好），使碳化硅磨具在磨削加工中成为磨削硬脆材料及硬质合金的理想工具，不但效率高、精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用寿命长，同时还可改善劳动条件。因此广泛用于普通磨具难于加工的低铁含量的金属及非金属硬脆材料，如硬质合金、高铝瓷、光学玻璃、玛瑙宝石、半导体材料、石材等。 碳化硅的分类：（黑碳化硅、绿碳化硅）含量越高纯度越高、物理性能越好。含量在98%——特级品含量在95%-98%——一级品含量在80%-94%——二级品含量在70%左右——三级品 主要杂质有：游离硅（F.Si）一部分溶解在碳化硅晶体，一部分与其它金属杂质（铁、铝、钙）呈金属状态存在。游离二氧化硅（F.SiO2）通常存在于晶体表面，大都是由于冶炼碳化硅电阻炉冷却过程中，碳化硅氧化而形成。 碳化硅生产工艺：原料破碎配料&混料：采用锤式破碎机对石油焦破碎到工艺要求的粒径。按照规定配方称量配料并混匀，采用混凝土搅拌机对石油焦和石英砂混料作业。电炉准备：把上次用过的炉重新修整、整理,以再次投入使用。作业内容包括洁理炉底料,修整电极,清理炉墙并修补,去装力、1挡, 检查、排除炉的其他缺陷。装炉：按照规定的炉料类别、部位、尺寸往炉内装填反应料、保温料、炉芯材料,并砌筑具有保温和盛料作用的熔炼炉侧墙送电冶...
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由全球半导体协会中国委员会主办的全球规模最大、规格最高的半导体展SEMICON/FPD China 2017 国际半导体展3月14-16日在上海举办。这是全球半导体业界连续六年规格最高、规模最大的“嘉年华”，近900家展商在展会现场与逾6万名专业观众互动。华林科纳半导体CSE在此次展会参展的产品吸引了很多客户前来观展。
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湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。 随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。 湿法刻蚀的设备目前主要有槽式刻蚀机和单片刻蚀机两种,槽式刻蚀机采用浸没式处理,刻蚀反应时硅片完全浸没在药液槽中,表面较均匀,所以其刻蚀均匀性也较好。 单片刻蚀机采取喷洒式工艺,由于硅片表面的药液层厚度较难控制,所以其刻蚀均匀性相对较差。研究发现,低刻蚀率化学药液的均匀性比高刻蚀率药液好,原因是刻蚀率低的药液反应剧烈程度小,所以容易得到较均匀的表面.在影响湿法刻蚀均匀性的关键因素方面,对于槽式刻蚀机,硅片进出药液槽的时间以及硅片从药液槽到纯水槽的传送速度很关键；对于单片式刻蚀机,硅片的自转转速和喷洒头的运动速度对刻蚀率均匀性影响很大。去离子水清洗方面,加入喷淋和快速排水功能有助于防止二次蚀刻,从而达到提高刻蚀均匀性的目的。&...
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