ＴＺ一１０７自动探针测试台主要技术指标及功能：该机的主要技术指标；可测片径；７５、１００１２５ｍｍ。工作台最大行程；ｘ向２６５ｒａｍ，Ｙ向２０５ｍｍ４工作台速度：５０ｍｍ／Ｓ。定位精度：±０.Ｏ１３ｍｍ。重复精度：±０．００３ｍｍ。行进分辨率：０．Ｏｌｍｍ。ｚ向行程：Ｏ～Ｏ．８ｍｍ可诵。该机工作台调整采用多功能集中控制手柄。可实现微动（１０ｍ／步）、连续点动’快动、步进等ｌ６种功能。通过键盘命令，可实现“扫描”、图形／探边方式选择、自检、公制／英制步距选择、单图测试、中停、ｚ向升降及微调。机器还具有同步／延时打点选择，工作状态显示及声光报警功能，以及品片平墼：墨：跟踪。并可根据配接的测试仪不同进行状态预置。测试完毕，承片台自动高速“回零”到下料位置，便于装卸晶片。 该系统由滚珠丝杠、电机座ｌ、底座２、溜板３、轴承座４和６、连板５以及轴承、直线滚动导轨、步进电机等组成。用以完成）０一Ｙ步进运动、扫描、装卸片时快速进中心和回零。ｘ、Ｙ向均采用最高精度的Ｃ级滚球丝杠，较高精度的Ｄ级滚动直线导轨，和高速大力矩步进电机驱动系统。使精度和可重复性达到美［Ｅｌｅｃｔｒｏｇｌａｓ公司生产的ｌＯ３４ｘ一６型５自动探针台的水平。由于选用了新型滚动功能部件，还使结构简单、工作稳定、易于维护保养。 该系统由吸盘１、芯轴２、摆杆５、托板８、偏心套１０和步进电机等组成。...
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2021
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半自动刷片机1主机毛刷由微型电机带动可做顺逆时针方向转动。同时,硅片架由毛刷架拨动作间隙转动。由于这两个运动的结合,使硅片的每一部位都能刷到。为避免划伤表面,采用较软的羊毛制刷。本机还采用杠杆式取片机构,装片、取片时能自动抬起片架,从而避免了通常取片方式带入的硅渣,确保了清洗质量。 2控制器(见图1)电路比较简单,由周期为约15秒和30秒两档的多谐振荡器和三级分频器、一个译码器组成。涂电源外,全部电路由十只三极管和十三只二极管组成(详见控制电路如图4和5)。电机转向由第一级分频器控制。电机启动前,全部计数器都置零,启动后开始计数,计到名时,译码器给出脉冲,关断电机电源。主机结构示意图(图2、3)及使用：工作前将待清洗的硅片置于硅片盘(5)上,清洗用水由进水咀(1)注入到毛刷和硅片上。于交通电源,启动电机(9),毛刷(7)转动并自动定时换向。就这样边冲水边刷片达到清洗目的。和毛刷连在一起的拨杆(6)随毛刷转动而不时拨动硅片盘,使盘间隙转动一个角度,以保证硅片每个部分都能均匀刷到。机器自动来回八次转向后自动关断电源，工作人员可打开机器上盖，（10）压动杠杆（2）使托片盘（4）翘起，自动抬起硅片，已使取片，清洗用水由出水詛（3）流出。 免责声明：文章来源于网络，不代表本公司观点，如有侵权请联系本网站删除。
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PVD技术及设备玻璃表面镀膜：•玻璃表面镀膜是玻璃表面改性的常用方法，通过镀膜可以改变玻璃的光学、热学、电学、力学、化学性质、膜层既可是功能性的，也可以是装饰性的。•玻璃表面镀膜方法化学还原、高温分解、化学气相沉积、物理气相沉积、电浮等。气相沉积方法：•PVD：物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現象来进行薄膜沉积。•CVD:化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸气相经过化学反应后，在玻璃表面形成固相薄膜。 1、 汤生放电区：离子撞击阴极产生二次电子，参与与气体分子碰撞，并使气体分子继续电离，产生新的离子和电子。这时，放电电流迅速增加，但电压变化不大，这一放电阶段称为汤生放电。汤生放电后期称为电晕放电。•电极间无电流通过，气体原子多处于中性，只有少量的电离粒子在电场作用下定向运动，形成极微弱的电流。2和3、辉光放电区：汤生放电后，气体会突然发生电击穿现象。此时，气体具备了相当的导电能力，称这种具有一定导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加，放电电压却有所下降。导电粒子大量增加，能量转移也足够大，放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大，辉光区扩大到整放电长度上，电压有所回升，辉光的亮度不断提高，叫异常辉光放电，可提供面积大、分布均匀的等离子体。气体放电现象4、 ...
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GPP器件关键工艺设备制造技术研究１GPP二极管工艺制程图ｌ为GPP二极管制造主要工艺流程示意图，包括晶片来料湿法清洗、磷预扩散、硼扩散及磷再分布、一次光刻、Ｖ形沟槽刻蚀、ｓ口OS（SE．ｍｉ—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON）半绝缘多晶硅保护膜淀积、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃烧结、LTO（LOWTEMPERAN】ｒｅｏｘｉｄ撕ｏｎ）低温氧化层淀积、三次光刻、接触面刻蚀、镀镍、镍烧结、镀金、电性测试。 从以上流程可以看出，GPP二极管的制程主要为三层保护膜的制作，其中ＳＩＰＯＳ起到束缚电子的作用，烧结玻璃是对ＰＮ结的保护、Ｓｉ０：是防止镍层与玻璃的附着；而这三层保护膜的完成都是基于同一位置——晶圆Ｖ形深沟槽中，由此可见沟槽的宽度、深度、形状、均匀性等直接影响着玻璃覆层的附着及厚度，进而影响着GPP二极管的性能参数。以往多采用机械式划槽技术，采用高速砂轮划Ｖ型槽，由于易造成碎片，沟槽深度也有一定的限制，因此现在多采用半导体平面刻蚀槽工艺技术，即光刻掩膜后利用湿法腐蚀的原理刻蚀Ｖ形槽。Ｖ型槽腐蚀液配比通常为硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝５：５：２，腐蚀温度为一１０℃～０℃，时间２０～２５ｒｎｊｎ（腐蚀时间随槽深而确定），通常为100～120斗ｍ，关键是控制好腐蚀速率。２GPP器件关键工艺设备GPP二极管主要工艺流程为沟槽制作及保护膜的制作，因...
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铬和钒的掺杂含铬和钒的硬质合金有很高的硬度及一定的韧性，其热膨胀系数接近钢。使用这些材料沉积扩散涂层可获得非常好的结合力。工业CAD工艺在中温下，在油淬的碳钢制零部件上沉积硬质涂层，某些情况下会产生不一致的结合力。通过含ｃｒ或Ｖ的扩散过渡层，工艺和结合力可得到很好的控制。图１展示了结合力较差的涂层（见图ｌａ）和通过Ｃｒ扩散涂层获得的结合力较好的涂层（见图１ｂ）。 这些复合涂层的实现需要额外的前驱物质及设施用于沉积工艺。在上例中，需要额外的发生器来产生挥发性的含Ｃｒ化合物——Ｃ尤ｌ。口１。在此发生器中，不同的金属（粒状或碎屑状）与氯气或氯化氢进行反应。而此发生器的使用不应将最终的ｃｒ或Ｖ残留物带人到后序的涂层中（如氧化铝）。使用带内部金属氯化物发生器的同一CAD设备，可沉积带掺杂的CAD涂层，通过加入一定量的一种或几种合金（如铬、钒、钨或铊）来改善ＴｉＮ，ＴｉＣ或Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）涂层性能。形成的涂层一般为（Ｔｉｌ０Ｑ“一。ｃｒ。Ｖ６ｗ。）Ｃ，Ｎ，Ｏ：，其中戈＋ｙ＋ｚ＝１，其机械性能（如硬度及韧性）与ＴｉＮ，ＴｉＣ和Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）类似，但由于合金元素的存在，其抗腐蚀性能也得到改善。３硼的添加从早期的研究ｐ１可知，在中温Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）中添加硼可改变Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）典型的柱状结构，获得相当高的硬度。在实际应用中，由于其较高的内部应力及脆性，这种涂层仅限于非常薄的涂层。因此，通过改变多...
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砷化镓的制造工艺：1.主动层的形成：由于目前砷化稼器件市场定位以高性能特性取胜,因此器件皆以异质接面方式成长为主,以求达到最佳的器件功能,目前器件以理及为市场主流,主要都是以磊晶成长方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取决于磊晶层的品质的好坏,所以需要成长出品质非常好的磊晶层,才能得到良好的器件特性。而要成长出良好的砷化稼磊晶品质,目前最普遍的是以或等方式成长,因为这些方式可以精准的控制磊晶纯度、厚度、掺杂浓度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的异质接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工艺目前主要以离子布植形成主动层,即使是有磊晶成长,皆是以为主,并无精确控制其接口成分的必要性。另外目前新兴以硅锗材料为主的制造工艺,其磊晶成长主要以技术为主,成长时需在工艺技术中使用选择性成长方式以便与技术集成,因此并无像砷化稼磊晶一般有专业代工厂成长磊晶层。2.微影制造工艺：砷化稼制造工艺中有干式蚀刻和湿式蚀刻,其中湿式蚀刻应用在一些砷化稼材料本身的蚀刻上,为制造工艺上极为关键的步骤。砷化稼湿式蚀刻基本上有非等方向的本质,其使用的蚀刻化学溶液和硅制造工艺不同,如硅是使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行蚀刻,而砷化稼可以用磷酸、双氧水与水的混合溶液蚀刻。比较特别的是,由于砷化稼为二元化合物,在不同面蚀刻后形状会不一样,随着不同平面、不同方向、不同溶液侵蚀,蚀刻后的形状可能为字型,亦可能为...
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晶体硅太阳电池制作流程太阳电池基本结构：一个单一的晶体硅电池输出电压在0.5V左右，而其最大输出功率则与太阳电池效率和表面积有关。如，一个接受光面积约为100cm2，效率为15%的太阳电池的最大输出功率仅为1.5W左右。达到一般应用要求，必须将许多太阳电池串联及并联在一起，形成所谓的模组（module）。并联的目的是为了增加输出功率，串联的目的在于提高输出电压，进一步的串联或并联则可形成阵列安排（array）。 在一把的太阳电池应用系统上，还包括蓄电池（storagebattery）、功率调节器（powerconditioner）和安装固定结构（mountingstructures）等周边设施，统称为平衡系统（balanceofsystem）。随材料和制造技术不同，太阳电池的架构会有不同变化，但最基本的结构可分为基板、PN二极管、抗反射层、表面粗糙结构化和金属电极等五个主要部分。 为达到最佳的转换效率，主要考虑的因素有：减低太阳光的表面反射；减低任何形式的载流子再结合(carrierrecombination)；金属电极接触最优化。基板：在晶体硅太阳电池中，以单晶硅能达到的能量转换效率最高。要达到最优的能量转换效率，所使用的基板的品质最为关键，这里的品质指基板应具有很好的结晶完美性、最低的杂质污染等。就品质的完美性而言，所有的结晶硅中以FZ硅片（FloatZon...
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Al2O3-GaN外延片结构：•超晶格(异质结)就是将两种晶格常数不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构，超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。•由于GaN与衬底晶格失配为15．4％，因此要生长平坦而没有裂纹的高质量GaN外延层非常困难。Amano提出利用低温生长AlN或GaN作为缓冲再与高温(1000℃)生长GaN的二段生长法得到表面平坦如镜，低剩余载流子浓度，高电子迁移率的高质量GaN外延层。 外延片制造的基本流程： 衬底的制备：(a)、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。(b)、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。(c)、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。(d)、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。(e)、导电性好，能制成上下结构。(f)、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。(g)、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等。(h)、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。(i)、价格低廉。衬底材料的选用：Al2O3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3优点：化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟；机械强度高，易于处理和清洗缺点：(1)晶格失配和热应力失配(...
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真空镀膜腔室，包括腔室门和对基板进行真空镀膜的至少一个真空制程腔，真空制程腔设于腔室门内；大气传输腔室，包括至少一个对镀膜后的基板进行散热的大气腔；以及移动装置，将基板移动至真空镀膜腔室或者大气传输腔室的输入端；其中大气传输腔室的数量少于真空镀膜腔室的数量。每个大气传输腔室对应设有至少两个真空镀膜腔室。真空镀膜腔室包括多个间隔设置的真空环境不同的真空制程腔和/或大气传输腔室包括多个间隔设置的大气环境不同的大气腔。真空镀膜腔室和/或大气传输腔室包括腔室门和真空阀，腔室门设于真空镀膜腔室和/或大气传输腔室的端部，真空阀连通真空制程腔和/或大气腔的内部和真空泵。真空镀膜腔室可切换为大气传输腔室，和/或，大气传输腔室可切换为真空镀膜腔室。真空镀膜腔室和大气传输腔室内均设有传输机构，传输机构包括设于腔室内的磁性导轨以及传送辊；移动装置设于真空镀膜腔室和大气传输腔室的同侧端部；真空镀膜腔室和大气传输腔室的两侧端部分别设置有移动装置；移动装置的传输方向垂直于所述传输机构的传输方向；还包括基板架基板固定设于所述基板架上基板架与所述磁性导轨磁性连接；所述基板架上设有与所述传送辊连接的传动轴。移动装置包括移动组件和与其连接的固定组件固定组件固定所述基板架移动组件驱动所述固定组件移动。固定组件包括机架和设于其上的固定辊固定辊上设有允许所述传动轴卡入的凹槽；所述移动组件包括带轮传动件机架与所述带轮传动件的...
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石英二元衍射光学元件制作工艺1.石英二元光学元件的制作二元光学元件的设计遵循光的衍射理论。衍射效率的高低是评价元件的重要指标。在表1中可见,理论上台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,随之的制作误差也变大,它又将导致元件的衍射效率降低。根据我们现有的工艺手段和设备制作8个台阶的元件是比较合理的。 8个台阶的元件要经过一次曝光,两次套刻曝光,三次刻蚀才能完成,其整个过程如图1所示。 1.1基片预处理预处理主要是用各种方法洗净基片表面粘附的脏物,增加光刻胶与基片的粘附能力,避免脱胶现象发生。处理后基片表面要镀一层厚度为100～200nm的铬层。它既可以增强光刻胶的粘附能力,又可以作为对准标记,以便在套刻时有良好的观察对比度。1.2甩胶及前烘处理好的基片要涂上一层光刻胶,用它来传递掩模版上的图形,然后经过反应离子刻蚀(RIE)把图形传递到基片上,这里胶的厚度W是一个主要参数,它主要由刻蚀深度h和刻蚀选择比C决定W=Ch实验时决定胶厚的因素有甩胶机的转速、甩胶时间、胶的类型以及稀释程度等。对这些因素作适当的配合就可以得到理想的胶厚。甩好的基片要及时放到恒温箱中烘烤。1.3曝光及处理工艺衍射元件设计好后可以由计算机处理成图形数据。量化级数L与曝光次数N的关系为L=2N例如,制作8个相台阶的菲涅尔透镜就要曝光3次,对应3组图形数据。如果用激光直写制作DOE,就可由计算...
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