新闻信息中心 - 单片刻蚀清洗设备 - 刻蚀腐蚀设备 - 南通华林科纳半导体设备有限公司

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太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 10

太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域，由于多晶硅电池片成本较低，其市场占有率已跃居首位，但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池片与单晶硅太阳能电池片之间的差距，采用织构化多晶硅表面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前，多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等，其中各向同性酸腐制绒技术的工艺简单，可以较容易地整合到多晶硅太阳能电池的生产工序中，同时成本最低，因而在大规模的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

花篮/片盒清洗机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒，同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒（Foup片盒）三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力：每次4组花篮和片盒清洗产能：每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力：每次8组花篮和片盒清洗产能：每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒（Foup）加载和清洗能力：每次6组前端开口片盒（Foup片盒）清洗产能：每小时18组前端开口片盒（Foup片盒）适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程或是同时4组花篮和片盒，或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒通过控制系统对自锁装置的检测，达到安全加载片盒和花篮，及其运行特征和优点可应用不同化学品（稀释剂）来清洗泵传输清洗液计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置热水一般由厂务供应 — 标准化或有一个体积约100升的热水预备槽（循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项）笼子带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机（按照加载量和设备配置，最大旋转速度200rpm,）旋转的不锈钢笼子会自动停止工作（运行过程中出现失衡状态时）热空气干燥顶端吹下热空气采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置不锈钢架上装有加热器，可以温度控制软件监控温度带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制触摸屏安装在前面—标准化也...

RCA湿法腐蚀清洗机设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位，多年来与众多的集成电路生产企业密切合作，研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使用对象硅晶片2-12inch适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括：设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等；并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式，主体使用进口WPP15和10mm厚板材，结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境，坚固耐用，双层防漏，机台底盘采用德国产瓷白PP板，热焊接而成，可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体：设备为半敞开式，主体使用进口WPP15和10mm厚板材，结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境，坚固耐用，双层防漏，机台底盘采用德国产瓷白PP板，热焊接而成，可长期工作在酸碱腐蚀环境中；4.骨架：钢骨架+PP德国劳施领板组合而成，防止外壳锈蚀。5.储物区：位于工作台面左侧，约280mm宽，储物区地板有漏液孔和底部支撑；6.安全门：前侧下开透明安全门，脚踏控制；7.工艺槽：模组化设计，腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成，杜绝机台的渗漏危险；8.管路系统：位于设备下部，所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明；药液管路采用PFA管，纯水管路采用白色NPP喷淋管，化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放；9.电气保护：电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区，电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠；所有可能与酸雾接...

抛光液供液供酸系统

发布时间： 2020 - 04 - 21

抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶，从而保证设备工艺流量稳定；2.提供温度，PH值控制，以满足抛光设备的工艺需求；3.满足stock slurry循环使用需求；特点：1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管，需配置排气，排液，排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上，管道使用PFA，选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分)；3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater，4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态，供应设备管路末端有压力表；5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level)，配置***个**液位传感器；6.所有Tank配置水枪，同时slurry桶上部能开启，以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor，同时需要将数据同步传送给设备主机；8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。供液泵使用磁力泵或磁浮泵，满足现场实际扬程，流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829

片盒清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 19

片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况：主要功能：本设备主要手动/自动搬运方式，通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果。设备名称：片盒清洗机设备型号：CSE-SC-N259整机尺寸(参考)：约1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（该设备非标定制）操作形式：手动设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备描述此装置是一个手动的处理设备；设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等，操作方便；主体材料：德国进口 10mmPP 板，优质不锈钢骨架，外包 3mmPP 板防腐；台面板为德国 10mm PP 板；DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材，需满足 18MW去离子水水质要求；采用国际标准生产加工，焊接组装均在万级净化间内完成排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸照明安全考虑：1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏漏盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。

CDS自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

自动供液系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

晶棒腐蚀机

发布时间： 2016 - 06 - 13

设备名称：晶棒腐蚀机---CSE产品描述： ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统，抽风系统,电控及操作台等部分组成; ●进口优质透明PVC活动门（对开/推拉式），保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准，以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康; ●机械臂定位精度高; ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠; ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作. ●非标设备，根据客户要求具体定制，欢迎详细咨询！更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlcas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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溶剂对ITO电极蚀刻的影响

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文研究了室温下盐酸和王水溶剂对ITO膜腐蚀行为的影响，在王水中比在盐酸中获得更高的蚀刻速率，然而，通过XPS分析，发现在王水蚀刻剂中比在HCl中有更多的表面残留副产物，在王水和HCl中的表面浓度(氯与铟的比率)分别为7.2和0.38，还观察到，由于离子化杂质散射，表面残留副产物降低了载流子迁移率，如在蚀刻过程后的ITO图案中所见，由于快速蚀刻速率，王水发生了严重的底切，因此，9 M HCl溶液更适合作为ITO/有机发光二极管应用的蚀刻剂。本研究中采用了ITO镀膜玻璃，因为它的薄层电阻低，在可见光区的透明度高(90%)，在蚀刻过程开始之前，样品依次用丙酮、甲醇、去离子水清洗，用N2气体干燥，用不同浓度和温度的盐酸(HCl)和水溶液(硝酸与盐酸的体积比为1:3)进行蚀刻实验，将ITO玻璃垂直浸入蚀刻溶液中，在蚀刻过程中不搅拌，在ITO蚀刻过程之后，进行各种表征。用能量色散谱(EDS)、霍尔测量和扫描电镜(SEM)分别测量了腐蚀前后ITO膜的表面余氯、载流子浓度、迁移率和表面形貌，此外，通过单色 X射线源进行X射线光电子能谱(XPS)测量，在这项工作中报道的所有结合能(BE)都是参考285.3 eV处碳C 1s峰的结合能。此外，用椭偏仪监测腐蚀前后ITO膜的厚度。在本研究中，使用HCl和王水作为蚀刻溶液，蚀刻反应是 In2O3 + 2HC1 → 2...

发布时间: 2022 - 03 - 29

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关于ITO蚀刻的机理

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在本研究中，我们研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率，保持浴液温度恒定，并比较了含有相同浓度的酸的溶液，对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究，试图阐明这些浴液中的溶解机制。ITO通过每分钟5.5标准立方厘米的氧流量的直流磁控溅射均匀沉积在玻璃基底上，目标的密度为70%，衬底温度为350°C，沉积电压和功率设置分别为375V和1.7kW，得到的ITO层厚度为120纳米，在550纳米处超过85%的透射率，ITO膜的化学组成通过以下方式获得俄歇电子能谱，都在表面和整体。蚀刻实验是用部分被光刻胶覆盖的ITO样品进行的，样品垂直放置在蚀刻剂中，蚀刻后，样品在去离子水中冲洗，抗蚀剂在丙酮中剥离，样品在氮气流中干燥，测量蚀刻深度，对于每个蚀刻率测定，这至少5次不同的蚀刻时间，蚀刻深度作为时间的函数绘制，蚀刻率以直线的斜率得到，实验在30或50°C条件下进行，温度保持在0.1°C范围内，电化学测量是在室温下进行的标准电化学电池中包含ITO样品，一个大面积铂对流电极和一个饱和热量参比电极(SCE)，使用温金恒电位器LB75L，结合高温度仪器小波发生器PPRI和飞利浦X-Y记录器PM8143，在100mV/s的扫描速率下记录伏安图。在室温下在电化学电池中进行电位蚀刻实验，在这些实验中，...

发布时间: 2022 - 03 - 29

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蚀刻后残留物和光刻胶去除

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言在未来几代器件中，光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱)，使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程(BEOL)蚀刻中，在不去除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性是非常具有挑战性的。概述了现状、问题和一些新的方法。介绍光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等的影响。工艺完成后，需要选择性地去除光致抗蚀剂并清洁表面，以确保表面没有残留物和颗粒。原则上，使用湿化学物质如热SPM、有机溶剂或通过使用干等离子体的“灰化”去除抗蚀剂是可能的。然而，在干法蚀刻或注入处理过程中，抗蚀剂会发生化学改性，这种改性会显著降低剥离速率。如果更具侵略性-例如，使用高度氧化的化学物质，这可能导致晶片上其他材料的不希望的侵蚀。虽然这些考虑几十年来，对于单元工艺开发非常重要，对于45纳米技术节点和更高技术节点的某些iTRS路线图要求变得越来越严格，以至于工业实验室正在考虑对cMOS集成流程的几个模块进行根本性的范式转变。同时，新的替代集成方案，包括使用应变硅、金属硬掩模和金属栅电极，导致不同的要求。这使得对这一主题的研究更加复杂。在下文中，我们总结了现状、问题和新方法，重点关注FEOL中的源漏注入模块和BEOL的低k干法刻蚀模块。 ...

发布时间: 2022 - 03 - 28

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湿法蚀刻在硅片减薄中的作用

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括用于RFID系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。此外，向堆叠管芯组件的转变、垂直系统集成和MEMS器件中的新概念要求晶片厚度薄至小于150 μm。机械研磨因其高减薄率而成为最常见的晶圆减薄技术。研磨系统通常采用两步工艺，先以极高的速度(5米/秒)进行粗磨，然后以较低的速度进行细磨(£ 1米/秒)以去除由粗磨步骤产生的大部分损伤层。然而，在晶片表面附近仍然存在缺陷带。该缺陷区的厚度取决于磨削条件。这些残余缺陷会在变薄的晶片中产生应力，导致额外的弯曲，并导致晶片破裂。由于残留的缺陷层和表面粗糙度，需要在机械研磨后进行额外的减薄工艺来提供可靠的薄晶片。这种最终的蚀刻和表面调节可以通过CMP、干法蚀刻或湿法化学蚀刻来完成。最具成本效益的工艺是湿法蚀刻。与机械研磨相比，在背面使用最终湿法蚀刻工艺减薄的晶片将具有更小的应力。将减少晶片破损，并且在切割之后，芯片将具有更少的裂缝和碎片。根据晶片背面的后续工艺，表面的最佳粗糙度或光滑度可能不同。对于金属沉积，轻微的粗糙度将提高附着力。2对于晶片键合，需要非常光滑的表面。本文对一些关键工艺参数进行了研究，以提供非常均匀的蚀刻和可控的表面光洁度，并对这些工艺进行了演示。实验性实验是在SSEC 3300系统上进行的。在蚀刻过程中，...

发布时间: 2022 - 03 - 28

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集成电路的理论与制造

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发布时间: 2022 - 03 - 26

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湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。在本文报道的研究中，基于颗粒吸附在晶片表面的机理，研究了去除吸附在水表面的颗粒的机理。在颗粒去除实验中，用湿法清洗工艺中使用的酸性和碱性溶液清洗了人工污染的单晶提拉法和FZ法晶片。已经证明，就颗粒去除效率而言，碱性溶液优于酸性溶液。据认为，由于碱性溶液中大多数颗粒的ζ电位为负，颗粒被晶片表面电排斥。除了从胶体化学的角度进行研究之外，我们认为检查由碱性溶液引起的晶片表面腐蚀也是很重要的。为此，研究了腐蚀速率和微粒去除效率之间的关系。使用直拉和FZ晶片。此外，用聚苯乙烯乳胶球代表有机物，研究了在NH，OH-H2O，-H2O溶液中的氧化过程，以找出氧化程度与颗粒物去除率之间的关系。结果，它已经被显示应该将NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH，OH含量降低到常规水平的1 /20，以优化颗粒去除效率。本文的剩余部分将描述实验性pro-的细节cess和结果。英寸CZ ( 1，0，0)晶片用于粒子吸附实验。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后将晶片浸入各种接种有颗粒的溶液中10分钟，然后冲洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后，在0.5的氢氟酸溶液中再次去除，然后清洗并干燥。五英寸锆石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1，0，0)晶片用于清洗实验以研究颗粒去除。使用以下污染源对晶片进行人...

发布时间: 2022 - 03 - 26

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宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻，但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻，并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂，包括含水无机酸和碱溶液，以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识别极性和多型体(对于SiC ),以及在光滑表面上制造器件。对于GaN和SiC，电化学蚀刻在室温下在某些情况下是成功的。此外，光辅助湿法蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。介绍宽带隙半导体GaN、SiC和ZnO对于许多新兴应用是有吸引力的。例如，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展保证了高频操作。此外，GaN用于紫外波长光电器件。它具有高击穿电场，大于硅或GaAs的50倍，这允许它用于高功率电子应用。GaN的宽带隙允许其用于蓝色/紫外线发光二极管(led)和激光二极管(LD ),并且由于其低本征载流子浓度，允许其在非常高的温度下工作。高电子迁移率和饱和速度允许其用于高速电子学。此外，诸如AlGaN/GaN的异质结构允许制造诸如HEMTs的高...

发布时间: 2022 - 03 - 26

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晶圆的湿法蚀刻法和清洁度

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文介绍了在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。湿法蚀刻是对膜进行各向同性蚀刻，因此不利于形成精细的布线，能够使用的布线有限，在最上层的Al系布线中使用的情况，这是因为与干法蚀刻相比，可以用廉价的装置形成。另外，在形成接触孔和通孔孔时，为了改善其后成膜时的覆盖范围，有的情况是首先用BHF药液进行湿法蚀刻；另一方面，在现在的半导体器件制造工艺中，作为最多的使用目的，还是去除布线形成后不需要的膜。下面介绍半导体制造过程中的重要组成部分：清洗和使用药液，下列的表中。首先是粒子去除（清洗），通常使用的药液是氨和过氧化氢水的混合液，混合比例、液温、清洗时间等是各公司的专有技术，一般来说氨：过氧化氢：纯水=1：1-10：20-100，温度40-70℃,使用时间为30秒-4分钟。下图中显示了粒子、金属杂质、有机杂质被清洗的机理的例子；在APM液中过氧化氢水的作用下，硅晶圆表面形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜，使用臭氧水（臭氧浓度10 ppm左右，温度25℃以下）时，由于臭氧的作用，同样会形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜，并且，APM液中的氨具有蚀刻去除形成的氧化膜的作用，在去除氧化膜的同时，...

发布时间: 2022 - 03 - 25

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GaAs 晶圆在 5G 中的作用

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料GaAs晶圆拥有强大的性能特性，使其成为快速发展的技术世界的理想选择，这些半导体正在推动移动通信的未来，所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度，但由于电子移动速度加快，所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。 5G是什么？5G代表了所有蜂窝网络的第五代标准技术，是一个非常强大的宽带蜂窝网络，远远超过4G网络的速度。了解GaAs晶圆GaAs，或砷化镓，是一种由元素镓和砷组成的半导体，砷化镓的用途很少，因为缺乏要求这种特殊半导体特性的先进技术，但鉴于现代技术的需求，所以GaAs经历了复苏。为什么是GaAs而不是硅？尽管硅被认为是半导体的标准材料，但GaAs晶圆提供的电子特性更适合5G移动设备。那么，在5G网络方面，GaAs和硅相比究竟如何？GaAs和硅在5G网络方面，GaAs的电子移动速度比硅快得多；与GaAs不同，硅不耐辐射；而且GaAs可以在微波频率下工作。GaAs与5G的关系对于运行在5G上的移动设备来说，它需要一个可以完全支持信号速度的晶片。 GaAs晶片被广泛认为是集成电路的未来，当我们考虑到这些半导体的市场份额及其增长速度时，这一事实变得非常明显，如果我们只看GaAs威化，市场预计将增加超过目前38亿美元净值的五倍。5G与4G4G...

发布时间: 2022 - 03 - 25

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湿法晶片清洗技术的艺术和科学

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料湿法晶片清洗虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感，但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造，湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要，这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关，因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。晶片上的单个颗粒就足以造成致命的缺陷或偏移，最终导致器件故障，当今最先进的节点设备用于智能汽车、医疗保健和工业应用等关键应用。因此，器件可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着更严格的设备分类和宁滨，从而影响产量。不幸的是，许多传统的晶片清洗方法不仅不足以用于先进的节点技术，它们还会对finFETs和硅通孔等精密结构造成损坏。所以选择正确的湿法晶片清洗技术不应该是事后才想到的，而是应该作为稳健制造工艺流程的一部分仔细考虑。考虑到这一点，让我们看看湿法晶片清洗技术是如何从一门艺术发展成为一门科学的，以及湿法晶片清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有几个清洗步骤？ 45纳米节点技术需要大约150-200个单独的清洗工艺步骤。10纳米节点处理使用了3倍于此的数量，大约800个清洗过程步骤，包括:光致抗蚀剂条、蚀刻后剥离、植入带、常规晶圆清洗、用于多重图案化和EUV的背面清洗、缩小技术节点需要双重、三重甚至四重图案化光刻工艺。这给整个工艺流程增加了数百个额外的步骤，包括额外的清洗步骤，虽...

发布时间: 2022 - 03 - 24

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