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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

时间: 2018-09-05
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上一期给大家讲解了关于半导体硅片清洗设备及装置,接下来我相信大家也很想了解一下关于,半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计:

晶圆清洗主要去除吸附在晶圆表面的各种杂质粒子,如微粒、有机物、无机金属离子等,使晶圆的表面洁净度达到 ULSI 工艺要求。 湿法晶圆清洗的原理是使用各种化学药液与晶圆表面各种杂质粒子发生化学反应,生成溶于水的物质,再用高纯水冲洗,依次去除晶圆表面各杂质。

第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

一、加热酸槽设计

在半导体清洗工艺中,有些化学试剂在处理晶圆时,对温度有要求,通常,需要进行加热,如SC1SC2 在 RAC 清洗工艺中就要求温度在 70~80 ℃ 。我们在选择这些加热酸槽材质时,一般选用石英材质。

加热酸槽一般由石英槽体、加热器、液位保护装置、温度检测装置、排放装置及电气控制装置等主要部分组成。

第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

由于我们所设计的加热器是内置投放式,故对所选加热器的要求比较高,不仅能耐酸,而且还要求能耐高温。 我们所选加热器所有的加热丝及其导线都是用 PFA 包裹起来的, 而且外包的 PFA 材质十分洁净,不会对酸液有所污染。 加热器的加热功率根据槽体的容积选取。

由于加热器是置于槽体底部,所以,液位保护装置优为重要。 液位保护装置主要用于检测石英槽内是否有酸液,防止加热器在没有酸液的情况下工作而发生危险。 温度检测装置主要用于检测石英槽内酸液的温度, 将检测的温度信号反馈给温度器,由温控器实现温度控制。 对于废酸的排放,基本有两种不同方式。 可由底部气动阀门控制,或者由射流器稀释排放。

二、QDR设计

QDR(Quick Dump Rinser),即快排快冲槽,主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液,使晶圆表面洁净。QDR 是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块,是清洗工艺中不可缺少的一道工艺,直接影响到晶圆的最终清洗效果。

QDR 由内外槽、上喷淋管路、下喷淋管路、快速排放阀及控制部分组成。

上喷淋管路共有两路, 形成相互交叉喷淋,但去离子水不宜直接喷淋冲洗晶圆表面,因晶圆在水蚀作用下直接喷淋晶圆表面,易产生微粒污泥而污染晶圆表面,因此,在去离子水的喷淋过程中,需要对冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试,以达到微粒污染少的最佳效果。 良好的喷嘴所喷淋范围涵盖全部晶圆及片盒; 而不良的喷淋冲洗形状,没有涵盖全部晶圆及片盒, 未被喷淋冲洗的死角地带,微粒、杂质及化学药液残留含量仍然很高,而达不到良好的清洗效果。

上喷淋同时, 下喷淋管路由底部两侧不断进水,而后由内槽上沿四周溢出,这样,每个晶圆片缝、各处边角的去离子水都能连续得到更新。 同时,纯净氮气由下喷淋管路进入槽体。 氮气鼓泡有以下几个作用:(1)增加了去离子水的冲刷力,对槽体本身有很好的自清洗作用;(2)晶圆在水流中颤动,气泡不能沾附其上,提高了冲洗效果;(3)减少去离子水中的含氧量,避免在晶圆表面生成氧化物。

第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

QDR 喷淋注满水时间和排水时间,对晶圆清洗质量有很大影响。 因晶圆表面暴露在空气中会接触空气中的氧分子或水汽,在常温下,即会生长一层很薄的氧化层(约为 0.5~1 nm),这层自然氧化物的厚度与暴露在空气中的时间长短有关, 因此,喷淋注满水时间越长,晶圆暴露在空气中的时间就会越长,因而形成的氧化层也越厚,这对晶圆清洗,是很不利的。 QDR 排水的时间越短,排水流速就会越大, 有利于去离子水带走晶圆表面上的微粒杂质。因此,在 QDR 设计中,要尽可能的缩短喷淋注满水时间和排水时间,实现快冲快排,整体效率也会得到提高。

三、传动系统设计

传动系统是全自动清洗机区别手动清洗机最核心的部分,由该系统在电气系统控制下实现了晶圆工艺清洗的自动化。 传动系统的性能直接决定了全自动清洗机整体工作效率及工作的稳定性、可靠性等方面。

传动系统由 x 向和 y 向组成,通过 PLC 程序控制,方便灵活地实现了 x 向和 y 向的运动。

第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

x 向是由伺服电机、减速器、LM 直线导轨、齿轮齿条及连接块等部分组成的。 它由伺服电机驱动,通过减速器,齿轮齿条、连接块传动来实现机械臂连同机械手整体 x 向的运动;该方向运动用于将片盒准确地移至各个清洗工位定位处。 在 x 向装有一个原点近接开关,以检测确定机械臂在 x 向的起始位置点,左右两侧分别装有限位近接开关,以防止机械臂与本体相碰,发生危险。

y 向由机械手、机械臂、伺服驱动系统及连接块等部分组成。机械手是用于片盒的提取,它通过 x、y两个方向的联合运动来实现的。 机械臂是用于实现机械手的上下运动,它由伺服电机、圆轴丝杠、导向装置、高刚性框架集成一体而成。 伺服驱动系统与PLC 一起控制 y 向的运动。 在 y 向装有一个原点近接开关, 以检测确定机械臂在 y 向的起始位置点,在其上下两侧分别装有限位近接开关,以防止机械臂与本体相碰,发生危险。

传动系统各方面性能对保证整台设备的稳定性和可靠性至关重要。 主要由以下几个(1)运动的稳定性;(2)运动的精确性;(3)传动结构的刚性;(4)运动速度及运动的平稳性。

四、电气控制系统设计

电气控制系统是整个设备的重要部分,统筹安排传动系统在各个清洗槽的运动时序,控制阀门以及清洗工艺模块的工作状态。 它直接关系到设备的正常使用、维护及其生产效率。 整套控制系统以一台 PLC(可编程序控制器)C2OOHG 为核心,触摸屏作为人机界面,交流伺服系统作为晶圆移位的执行机构。

第三课:半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

1、电气控制系统的构成

包括控制箱及传感器, 电磁阀等。 控制箱为立式,装于设备本体左侧,为密闭式,防止酸雾腐蚀电器元件。 控制箱箱内装有电源开关,伺服控制系统,PLC 及接线端子等。 在控制箱的正面装有控制面板;控制面板上面装有操作开关,蜂鸣器,指示灯及触摸屏,温控器等。

2.、程序控制

本设备通过 PLC、触摸屏、伺服模块程序的有效结合实现传动系统的传片工作,手动/自动操作方式可以切换。 触摸屏上有手动操作面板,可以实现相应手动操作。 各清洗槽工艺时间可以在触摸屏中设置。 系统可以编译并存储多条工艺程序,用户可以根据需要进行修改。

3、安全装置

本设备具有声光报警功能。 当有故障时,设备报警,触摸屏上显示出错信息,这时按下急停按钮,所有动作停止。 排除故障后,按下复位按钮,可恢复初始状态; 设备前部装有透明有机玻璃推拉门,防止酸液溅出。



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